采用槽终端技术的微波功率晶体管集电结反向击穿电压的研究.pdfVIP

采用槽终端技术的微波功率晶体管集电结反向击穿电压研究 叶红飞蔡勇张利春 (北京大学微电子所100871) 摘要：本文分析了采用槽终端技术的微波功率晶体管集电结的反向击穿电压特性．对这种结构的器件进行，计算机 模拟和工艺实验．模拟结果表明，在槽宽为29m情况下pn结的反向击穿电压可以达到理想平行结击穿电压的88％， 相对无隔离槽的pn结击穿电压只能达到理想平行结击穿电压的59％来说有了很人的提高。测试结果也证明采用槽终 端技术能够明显提高微波功率晶体管集电结的反向击穿电压，并且这种技术还具有与普通的平面工艺兼容性好、4i 影响器件的频率特性等优点． 引言 对于微波功率晶体管，由于器件经常处于失配和过激励状态，加在集电结上的反向偏压远远大 于器件的工作电压，易于导致器件失效和烧毁。因此提高微波功率晶体管的集电结反向击穿电压成 为改善晶体管的功率特性和器件的可靠性的重要手段之一。 普通扩散结曲率半径的影响使得pn结边缘产生电场集中效应，从而使pn结的击穿电压小于理 想平行结的击穿电压值。为了克服由于扩散结曲率半径的存在对pn结击穿电压的影响，人们提出了 多种pn结终端技术以减小边缘电场集中效应，以前在双极微波功率晶体管中主要采用的有电场限制 环技术和台面技术111。但是电场限制环需要pn结有一定的深度，环本身也要占用一定的有源区面积， 这都会限制器件频率特性的提高，同时工艺中需要长时间的高温过程，容易产生微缺陷。此外电场 限制环对环间距离比较敏感，设计和工艺偏差都对其效果产生影响。台面技术也有致命的缺点，主 要是与平面工艺不兼容，硅片表面台阶大，使得后序加工困难。此外台面腐蚀工艺不易控制，腐蚀 产生的缺陷不易消除，进而影响其使用效果。 本文研究了一种新兴的提高微波功率晶体管集电结击穿电压终端技术——槽终端技术8’”。这种 终端技术具有与普通的平面工艺兼容性好、不影响器件的频率特性等优点，值得在微波功率晶体管 中推广使用。 实验 度约为69m，然后填充Si02或热生长一层Si02后填充非掺杂多晶硅，再进行平坦化，漏出有深槽 速热退火(RTP)。 模拟 对上述实验过程和器件结构用ISE．TCAD软件进行了工艺模拟和器件模拟。为比较不同隔离槽 宽度对微波功率晶体管集电结反向击穿电压的影响，下面给出了无隔离槽、槽宽为1．5pm、槽宽为 29m以及槽宽为无限宽(理想平行结)4种情况的模拟结果。 图1到图4分别给出了无隔离槽、槽宽为1．5Hm、槽宽为2pm以及槽宽为无限宽4种情况器件 在击穿时的等电势图。从图中可以看出，虽然槽的存在会使pn结电场趋于一维分布，但是实际【．艺 中的槽总有一定的宽度，因此仍然会有一定的二维影响。由于槽外测的高电位的感应作用，使得槽 壁内侧尤其是pn结靠近槽壁处的等电势线曲率变小，电场增加。随着槽的宽度减小，这种作HJ就越 明显，造成pn结界面电场分布不均．靠近槽壁处电场过高而使击穿电压降低。 212 图1无隔离槽时的电势分布 图2隔离槽为1．59m宽222氧化硅时的电势分布 图3隔离槽为29m宽二氧化硅时的电势分布图4隔离槽为无限宽二氧化硅时的电势分布 图5给出了不同隔离槽情况下pn结击穿电压比较。从图中可以看出，在槽宽为2p．m情况下pn 电压为52V，只能达到理想平行结击穿电压的59％。因此采用槽隔离可以人人提高pn结的反向击 穿电压。 通过以上的模拟分析可知，槽终端技术可以明显提高pn结的反向击穿电压。此外{背终端技术应 用到微波功率晶体管中比电场限制环技术和台面技术更具优势： 1．电场限制环技术在设计中需要精心计算结深和环间距，并且需要反复实验验证以保证I．艺精 度，而槽终端技术只需要保证槽的深度和宽度。 2．电场限制环技术需要长时间的高温过程，台面技术与平面技术不兼容、控制凼难，而横终端 技术则完全与平面工艺兼容、容易实现，且避免了长时间的高温过程。 3．不需要深结，不会影响器件的频率性能。 213