铌酸锶钡铁电晶体的生长的研究.pdfVIP

铌酸锶钡铁电晶体的生长研究’ 徐家跃，童健，范世鸵 (中国科学院上海硅酸盐研究所。上海200050) 摘 要t四方鸣青栩型扼醢船般(SkIB8，矗岫200晶 体具有较大的电光和熬电采敷以及忱是的光折变特 2实验 ·哇．在热屯振洲、奎怠敷据存储、电光调制等方面 县有潜在的应用．光学应用的太块SBN单晶太多由 2．1组分的选择 提扭法麓得．提拉法生长SBN所遇到的两个主要目 铌酸锶钡晶体是一种固溶体。近年来人们主要 堆是：直径难以控制．书垃不玉消除．本文报过了 选择SBN：75和SBN：61这两个组分进行晶体生长研 甩改进的埘埚下降扶术生长SBN^体的实验蛄秉， 究．其中SBN：75是具有最大非线性性能的组分．而 培出了生长太足寸、高质量SBN^律的主要工艺书SBN：61是接近一致焙融组分。可以直接从i断温熔体 中生长，比较适台用坩坍下降法生长．因此。我们 件，成功地获得了直径25rmn，长度60ram的SBN：61 晶体，并对其先学性托、生长缺陷等方面进行了研 选择sr‘lBa,d吗06组分作为SBN系列晶体生长研究 宄． 的第一组分． 关键词；铌醴薯识；坩埚下降法；丑体生长 2．2原抖 选用纯度为4N的srco，BaC03和N∞，为初 1引言 始原料。接化学计量比混告研磨均匀。置于铂坩埚 中在12006C下灼烧16h．遥过固相反应合成生长所 需的配合科．然后用压机在10Mpa的压力下将配合 5，妣5Jo．75)是四方钨 铌酸锶钡(srIB且№0 青铜型铁电晶体．其中‰骨％dqlhO。是最接近同成分料压成直径25mm厚度为20ram的料块．以有效利 点的组蒯”，其熔点为1510℃．居里温度为舯℃· 用坩埚空间．尽可能多地装料· 近年来，由于SBN晶体具有大的电光和热电系数以 Z3量体生长 及优良的光折变特性．崔热电探潮、全息数据存储、 采用自制硅钼棒加热的双温区坩埚下降炉生长 声表面波器件、相共轭、光限幅、腰相位匹配二次 SBN单晶．选用铂坩埚并制成圆柱状．直径为25mm． 谐波发生以及电光调制等方面的港在应用而引起了 长300mm，用于装耔晶的种井部分直径为10mm． 人们的广泛关注Ⅷ． 。 长100mm．坩埚被放置于氧化铝警中-坩埚与氧化 许多光学应用都要求晶体有高的光学质量和大 铝臂之间用氧化铝粉填充-一方面可以支掉和固定 的尺寸，但目前铌酸锶镢晶体主要由提拉法莸得pq· 坩埚，另一方面可以减少温度波动对同液界面温度 由于提拉法遇到直径难以控制和生长条坟难以克服 场的影响．在氯化铝管中安装一个测温热电偶-热 等问题．要得到大尺寸、高质量的晶体非常困难。 电偶的顶端与晶种项部齐平。以测量接种时的温度· DWT-702精密温控仪用于控树炉温．$BN晶体生长 与提拉法相比，下降法生长技术除了操作简单外- 的炉温设定为(1580士0．5rc．在炉温达到后t升降 还具有以下几个优点：(1)由于生长时无旋转．因 装置将装有坩埚和热电偶的氯化铝臂缓慢升至炉雎 此消除了旋转来纹；(2)由于生长的晶搏与炉内的 中温度梯度区，调节坩埚位置并且谭过洲疆热电儡 空气对流是隔离开的．因此温度波动对生长的影响 的温度i娥来接种．我们选择咖I作为晶体生长