CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤的研究测试系统.pdfVIP

第9届垒目棱电子学与棱探舅技术学术年台论文集 !!竺型I竺竺竺竺竺型鲨竺竺鳖竺!!塑堕塾竺堕!竺塑!业一 cMos运算放大器内部电路电离辐射 损伤研究测试系统 郭旗 陆妩任迪远余学锋张国强 范隆严荣良 (中国科学院新疆物理研究所．乌鲁木齐，830011) 本文介绍丁一种计算机控翻的运算放大嚣内部单元电路捏伤试验穗试幕统，谈系统既蕾舅量运麓电矗 整体性-B参数在电青#射环境中的变化．又可以薅察电路内部各功蕾单元电路和M0s研玎曲辐晨报击特 性，并且能够对不两功童单元电珞的损伤对电路整体性蕾的髟响进行舅试·为从内嗣F究Qd(玲运算藏大嚣 的电离辐射损伤机理墨供了宥效的手段． 关■词tcM0s运算放大器辐射效应售量电麝 1引言 近年来，对Q麒)S效字电路的电寓辐射损伤机理和加固技术的研究取得了显著的进展· 而cMOs模拟线性电路这方面的研究粥明显处于相对沸后的水平。在。商os敦字电路加固技 术上取得成功的工艺和方法用于cM0s模拟线性电路并没有获得爱期的加固效果【I】．这主要 是由于线性电路的工作原理、结构与数字电路有较大差异。其内部各功能单元电路的晶体管处 于不同的工作状态．其辐射敏感程度不同。对电路性能退化所起的作用也不同，而电路性能参 数又是各功能单元的晶体管综合作用和运算的结果．在电离辐射环境中，电参数鲤变化并不直 接反映电路内部的损伤情况．而单管损伤机理研究的结果也很难与电路性能的退化建立直接 的对映关系，因此．研究Q帕s线性电路内部不同功能单元的辐射损伤特性及其对电路参数 退化的贡献。对于深入了解a帕s线性电路的损伤机理，进而寻求有效的加固途径有十分重 要的意义． 国内外曾有人利用扫描电子显教镜对双极运放电路的不同部位分别进行辐照来研究各功 能单元特性的变化对运放整体性能的影响，我们也曾进行过这类试验，发现要将电子柬准确地 聚焦并定位到特定的区域有一定的难度，需花费一定的时问，丽在这一过程中，电路的其它部 位也同时受到了辐照．对于辐射损伤离值较低t对电子辐照相当敏摩的cM0s运放电路来说， 在对其特定部位进行辐照之前，电路参敦就已发生了较大退化甚至失效t无法将该单元的损伤 对电路性能的影响有效地分离出来．为了解决这个问题，我们针对专门设计的试验样品电路． 建立了一套计算机控制的运算放大器内部单元电路损伤试验溯试系统，该系统既能测量运放 电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化，又可以观察电路内部各功能单元的辐照损伤特 性，并且能够对不同功偿单元电路的损伤对电路整体性能的影响进行测试，为从内部研究 cM0s运算放大器的电离辐射损伤机理提供了有效的手段． 14 2测试系统与试验方法 2．1测试系统结构与功能 本测试系统是基于专门设计的试验样品电路来研制的．该电路为一种。艇)s工艺的无缓 冲两级运算放大器，将其内部结构按输入差分管对、恒流偏置电路、放大级和输出级分为等相 对独立功能单元，各个单元的输入输出节点分别由管脚单独引出，可在外部连接成为一个完整 的运放电路． 测试系统由DuT板、连接及测试转换开关组、澍试仪器和计算机组成．如图1所示． DuT测试板由DUT插座、参照样品插座和 选择开关组成，可将参照样品(未辐照样品)内部 的各功能单元逐次用DUT中的相应单元来替 换，分别组成特定单元经过辐照而其它单元完好 无损的运放电路，测试被辐熙单元的变化对整个 运放电路特性的影响，达到对运放电路内部各单 元分别辐照的目的． 连接及测试转换开关组可将测试板引出的各 单元连接成完整的运放电路。测试其整体参数．同 时还可以将各节点分别连至测试仪器，对各单元 和内部MO：SFET特性(包括各节点电压、电流及 单管亚阈曲线等)在辐照过程中的变化分别进行 图1测试系统原理示童圉 测试．由计算机对开关组和仪器进行控制，自动完 成连接、转换和测试． 运放电路整体性能参敦甩Tektronics一577曲线示踪仅进行测试，内部节点电压、电流及 单管亚朗曲线用我所半导体器件辐射响应测试系统进行溯量． 测试软件由样品类型选择、测试功能选择、开关组控制、电压测量、电流测量、I—v亚阈特 性测量、MOs矾Ⅱ输出特性测量及数据存贮、显示、曲线绘制等模块组成，可完成对电路内部 节点状态参效(如基准恒流源电瘴、偏置电流、各节点电压等)、差分