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用正电子寿命分布研究塑性形变GaAs+ 王柱王少阶陈志权马莉李世清 (武汉大学物理系，武汉430072) whuedu．el| Email：wangz@positron I-I-I 摘耍『{j J|三Ib予湮没寿命谱及最大熵原理研究了塑性形变P型GaAs中的缺 陷性质。样品原始载流予浓度为2．63x10”f：lTI～。形变量分别为25％和15％。 室温止电子寿命测量结果锃示，形变样品中有新的空位掣缺陷产生，鉴定为空 位团。根据塑性形变样I铺中空位团的正电f-女rli获末的大小和寿命谱温度关系初 步判断：在P型GaAs中，靼性形变产生的空值凼的荷电性为U：。 关键词P型GaAs，MELT，点缺陷，塑性形变，正电广寿命 引盲 、}导体材料的缺陷性质对其lb学．光学性能有较火影响。闵为缺陷常常充当载流子的 复合，散射中心。根据费米能级的佗置，缺陷的电荷态可以是q，一H：，负电性或Jl：电性。通 已经从理论上预言了在正空位处也存在l】二电子束缚态㈧，只是m丁{I|i获率较小，靠一正I毡子 实验中至今还未观察到止空位，也就是说没有发现止空他能捕获止电子的证据。Ⅲ而，研 究JE空位与Ⅱ三电子之问相互^U题具有相当大的实验和理论价值。标准的形变技术能够控制 人通过对GaAs麻力应变曲线的分析，发现了位错迁移激活能与臼j广敞激活能之间的关联， 并进一步说明位错运动是点缺陷产生的根源。儿个小细已经』Hll电r淫没谱研究了塑性形 的缺|ij!{一微空洞：此外，单空位和负离r型缺陷的浓度增加。与n型和SI犁、卜导体材料相 比，P型GaAs的正电子研究要少得多15t。已有的儿篇文献报道了在P型利荆中lI。屯子寿命 1r常接近1F局域正电子寿命的JⅢ沦值(230 ps)19。”。没确删察到l】：{U子捕获。闩前尚未见到 有关形变P型GaAs的正电子叫f究的报导。 本文选择P型GaAs为样^^进行形变研究。测嚣了室温pf{：电r寿命随形变量的变化， 了塑性形变P型GaAs样品t㈨々缺陷特性。 实验 cm。 样品为水平区熔生长的P刑GaAs(掺Zn)单品。室温载流子浓度n=2．63×lo‘s 将样品切成形状为13×7×3 mm3的小片，表面取向分别为(21j)，(111)，(4j1)。塑性形 变所用仪器为MTS一810村车爿实验机。在温度530。C，纯氙气保护气氛中，以恒定形变速率， 沿213方向单轴压缩。具体形变条仆列于表1．为了进行止电子柑!救测最，将每个形变历 的样品平行7-(11I)面剖切为两片。 袁1 3方向尊轴压缩的塑性形变条什 P型GaAs沿2l Sample Td e d删t oⅢ， 型竺： !里2 1墅! !兰