定向凝固铸造多晶硅材料的EBIC的研究.pdfVIP

定向凝固铸造多晶硅材料的EBIC研究① 陈君1·2杨德仁1席珍强1 阙端麟1 关口隆史2 1 浙江大学硅材料国家重点实验室，310027 2国立物质材料研究所纳米电子光学材料实验室，日本筑波，305—0047 摘要：本文利用电子束诱生电流(EBIC)时定向凝固生长铸造多晶硅中缺陷的电学性能进行 了分析。EBIC结果显示铸造多晶硅中晶界和位错的复舍特性与晶锭的凝固位置有关。室温 下，晶锭中部样品中的晶界没有明显的EBIC村度，而在100K时晶界和晶内缺的衬度明显增 强。在晶健底部(最先凝固)和头部(最后凝固)样品中，晶界在室温下呈现很强的EBlC村度， 并在晶界附近形成洁净区。晶锭凝田过程中的杂质分布以覆杂质和缺陷之间的作用，决定了 不同凝固位置缺陷的复合特性。 关键词：铸造多晶硅 电子束诱生电流晶界 Abstract；Therecombinationofdefeetsin silicon(mc—Si) properties castingmulticrystalline direction method controlledsolidificationwasstudiedElectronBeamInduced grownby by Current(EBIC)．EBICresultsshowedthattherecombinationof boundaries grain properties anddislocationsrelatedtothe of the of were solidification central positionsingot．In position the theEBICcontrastof boundarieswasratherweakwhileat100Kitincreased ingot grain thebottom(solidifiedfirst)and boundariesand greatly，In top(solidifiedlast)grain were evenat denudedwasfoundaround dislocationsvisible room zone temperature，and boundaries．Thedifferentrecombinationofdefectsbe grain properties may explainedby meansofthedistributionofimpuritiesduringcrystalgrowth． siliconelectronbeaminducedcurrent muhicrystatline