新型厚胶特性地研究.pdfVIP

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  • 2017-08-16 发布于安徽
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2001年增刊 压电与声光 文章编号l 1004-2474(2001)S0-0073-03 新型厚胶特性的研究 杜惊雷,肖 哺,杨静,张怡霄,郭永康,崔铮 (四川大学橱理系。成都610064t英丑卢墨艟实验童徽螬相中心。DIDCOT.UK) 攮蔓;截先机电熏境通常采用紫外或x舯残光刺技术制作,不罔于一麓的集成电路加工,其所用光刻肢之厚度速 教十微米以上,因此有必要甘用于微光机电系统加工的厚肢进行研究.在本文中,我们对一种新型厚胶一^zPLP 100XT进行了●光显影特性的实验研究,蛤出了斌肢特性规律.为使用谊肢加工微光学和微机械器件提供了依据,为 计算模拟分析光捌加工暑件的三堆图样提供了保证. 关t词,犀胶;光捌;截系统 中田分类号·TQ337.2 文献标识码tA X ofCharacteristicsforNewResist Investigation DU Xlao,YANG Yi-xiao,GUOYong-kang,CUI Jing-lei,XIAO Jing,ZHANG Zheng areoftenusedtofabricateMOEMSwithresistsoftensor Abstract:Ultra-violetandX hundreds lithographyraylithography micrometer it is todiscussthecharacteristicsofthethickresistinfabricationofMOEMS.Inthis thickness,and necessary PLP100XT.Some studiedthe and ofanovelthickresist—AZ rulesofits developmentproperties pap%we exposure atealso thebasistofabricate andMOEMS and the propertiesprcsented,whichprovide miero-optics componentsguarantee andsimulationofthe analysis components’3Dpatterns. Keywords:thickresist;lithography;MEMS(MOEMS) 年内MOEMS市场发展情况。经过未来几年的发展, 1 引言 微光机电系统主要利用精密的集成电路光刻技 亿美元。 术制作‘”,它具有体积小、质量轻、造价低廉、高效 与一般的集成电路芯片加工有一定的不同,目前 率、低能耗等诸多优点,在军事、医学、航天、通信 的微系统元件尺寸通常在微米量级,其加工过程并不 等许多领域都有良好的应用前景。图1显示了未来5 需要制作较窄的线条,而是要求线条有较大的深度。 这就要求用于作为微系统加工材科的抗蚀剂具有一 定的厚度,通常其厚度在数十微米或数百微米。SU.8 是一种微系统加工中常用

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