陶瓷硅衬底上沉积多晶硅薄膜的研究.pdfVIP

—— 竺竺兰竺皇圭兰璺兰兰兰兰壁!兰—I 陶瓷硅衬底上沉积多晶硅薄膜研究 廖华1·2林理彬2 刘祖明1 李景天1 刘 强2 陈庭金1 许 颖3 1云南师范大学太阳能研究所，昆明，650092 2 四川大学物理系，辐射物理及技术国家教育部重点实验室，成都，610064 3北京市太阳能研究所，北京，100083 摘要：本文采用陶瓷硅作为衬底材料，用RTCVD沉积制备了多晶硅薄膜。对薄膜的SEM表 面形貌进行分析表明：薄膜的结构和形貌与沉积温度和衬底状况有关，高温下可以沉积得到大 晶粒且致密的薄膜。应用Scherrer公式估算了薄膜的晶粒尺寸，与sEM囤的结果相一致。 Hall测量分析了薄膜的性能，薄膜的迁移率随沉积温度的增加而增加，电阻率随沉积温度的 增才口而降低。 关键词：陶瓷硅衬底多晶硅薄膜性能分析 thinfilmshavebeen oil Abstract：Inthis obtainedceramicsiliconsubstrates paper，poly-Si by RTCVD．TheofSEMshowthatstructureand relatedtosubstrate pictures morphology andsubstrate．At thinfilmswith sizeand temperature hightemperature，poly—Si biggrain texturewere Scherrer calculatedsizeof formulation，we compact obtained．Using grain poly— Si the of thinfilms．andithassameresultslike resultsSEM．TheresultsofHalltestshow of thinfilmsincreasedwith and thatthe substrate increasedt mobilitypoly—Si temperature the decreasedwithsubstrate increased． resistivity temperature substrate thinfilms silicon Keywords：ceramic poly-Si performanceanalysis 本保证。村底具有高温热稳定性，适于在高温条件 1引言 下生长多晶硅薄膜，高温生长条件能够获得较大晶 粒尺寸的薄膜，有利于制备较好性能的太阳电池。 多晶硅薄膜在集成电路、薄膜晶体管03和太阳 目前尚未见到在陶瓷硅村底上制备多晶硅薄膜的研 电池等领域都有广泛的应用。目前的晶体硅太阳电