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第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电器件掌术会议 广州’08
WED-GaN．H06
Ni扩散对AI。GahN／GaN异质结构电学性质的影响
黄森，沈波，林芳，马楠，许福军，鲁麟，秦志新，杨志坚，张国义
(北京大学物理学院，人T微结构和介观物理国家重点实验窒，北京100871)
nm
电学性质的影响。实验发现带有10 Ni盖帽层的AIob25Gao．75N／GaN异质结构经600oc退火处理后，其中的二维电了气(2DEG)
窜温迁移率从1530降拿986cm2／Vs，同时审温下的2DEG密度降低了2．O×10”cm之，并且2DEG密度在100K至460K的温度
范围内随温度的升高IfU降低。DLTS实验证实上述退火处理在AIo25Gao．75N／GaN异质结构中引入了一种激活能为1．23ev，有效
俘获截面为2．8×10”cm2的类受主型深能级。该深能级是存热退火过程中金属Ni扩散进Alo．25Gao．75N／GaN异质结构时引入的。
此深能级导致了2DEG输运性质的退化。
关键词{DLTS，迁移率。扩散，类受．1-型深能级
中图分类号：0472+．4 文献标识码：A 文章编号：
Ni di flusi onandi tsi nfI uenceoneI ectri caI i esof
propert
A heterostructures
I，Ga卜。N／GaN
andCtY
S．Huang，B．Shen，F．Lin，N．Ma，F．J．Xu，L．Lu，Z．X．Qin，Z．J．YangZhang
Microstructureand
(StateKeyLaboratoryofA心ficial MesoscopicPhysics．SchoolofPhysics．PekingUniversi饥Beoing100871，China)
Abstract：Theeffectofthethermal structuresOn
ofNi／AIxGa,．xN／GaNelectrical ofAlxGat懋fGiNheterostructures
annealing properties
hasbeenstudiedmeansof Hallmeasurementsand leveltransient isfound
by that
temperature—dependent deep spectroscopy(DLTS)．It
the ofthetwo—dimensionalelectron from1530to986cfn2／Vsatroom
mobility gas(2DEG)decreases temperature(RT)afterannealing
the witha Ni at
A1025Gao75N／GaNheterostrueture10．砌thickcap at600。C．The2DEG isalsoreduced2．0x1012cm-2
layer density by
RTafterthe to with
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