真空下聚酞菁硅氧烷与聚酞菁锗氧烷的加热-气相沉积-重结晶研究.pdfVIP

2003年全国高分子学术论文报告会 杭州2003年10月9—14日 真空下聚酞菁硅氧烷和聚酞菩锗氧烷的 加热一气相沉积一重结晶研究 周啸+解志良王运辉 度下，酞菁硅二醇缩聚1h后数均聚合度可达66．5，酞菁锗二醇缩聚10h后数均聚合度可达 菁环平面垂直。两种聚合物中相邻酞菁环的面间距都与石墨的层间距相近。掺碘以后这两种聚 S／cm和10 合物的电导率分别可达100 S／cm，它们都属于低维度电子导电聚合物“J。 由这两种单体在固相条件下缩聚而得的聚合物晶体都是板块状或板条状的，晶体中的分子 链轴都与板平面平行9一。但若将它们的单体在真空室内加热升华，再在一定温度的衬底上气 相沉积、缩聚和结晶时，聚合物分子链轴可能仍然平行于新生成的薄膜晶体的大平面，也可能 垂直于膜平面”一。究竟是平行还是垂直，由气相沉积时的衬底温度决定”】。 Aschematicillustrationofmolecule A 2 schematic of Fig-1 illustration Fig heating·deposition· lSi(Pc)OI口or[Ge(Pc)OIn． or under reerystallizatiouof[Si(Pc)OkIC-e(Pc)O]odynamic or vacuum． (o：SiGe，●：0，o：N) (A：crucible， C：heater, lump， B：copper D：thermocouple，E：subsaate，v：vacuumsystem) 仍然可在衬底上得到聚酞菁硅氧烷或聚酞菁锗氧烷的薄膜晶体。而且通过控制衬底温度，就可 以控制薄膜晶体中聚合物分子链轴平行于或垂直于膜平面的取向状态(例如Table1)。但链轴 2)。 出现特定取向的衬底温度与单体作为升华源时的衬底温度并不相同(见Table Frm分别对加热前坩埚中的样品、衬底上的气相沉积物和重结晶完成后坩埚中的残留物所作 的检测表明，这三者都是聚合物[Si(Pc)O]。或[Ge(Pc)O]。。至于从坩埚中升华出来的气态物究竟 是不是聚合物，还有待于今后作进一步的研究。气相沉积物中聚合物分子链的取向是由电子衍 射花样确定的。本文还用TEM拍摄了沉积膜的形貌像，用高分辨电子显微术拍摄了重结晶后 !塑!±全璺壹坌±堂查垒查坚鱼全 苎型!塑!±!!塑!=旦旦 得到的微晶膜中的分子像或晶格条纹像。 ofchain Tablel orientationin【Si(Pc)O]n SubswatetemperatureTsubdependence crystal at(110)planeofKBrsingle depositedfilms relativetofilm