CN-%2cx-薄膜热稳定性的TG-MS的研究.pdfVIP

cN：薄膜热稳定性的TG-MS研究 陆昌伟肖暑成陈云仙关同庚胡行方 ( ) 中国科学院上海硅酸盐研究所，200050，上海 MScbubneli 陆立明 (晦特勒一托利多仪器上海有限公司，2002331上海) 摘 要 首次在氩气气氛中对用磁控溅射法制备的cH，薄膜的热稳定性进行了TG—Ms研究．实验结果表明，CN， Y0+miz=30)，02’(m／z=32)，CO!’[m／Z=44)，c犷Oulz=26)，c 2N!‘(m／z=5 7 谱峰．在 00-1400℃温区内，出现了42．8％的失重，Ms表征在1000℃左右有 审的挥发机理作了初步探讨． 关键词：cN：薄膜j熟稳定性 ，TG州¨f 1．引言 早在19 密度近似下，用赝势方法进行理论计算后发现，若以c原子取代p—si，N。结构的话，每个孽胞将具 育较大妁凝聚能．井推知IB-C，_。至少是一种互穗相，以共价键结合，具有较短的键长和较慨的离化 程度，其理论估算的体弹性模量将超过堂剐石．这是人类首次从理论上预言的一种具有超硬性能的 新型材料。这一发现很快5}起了全球各国物理学家和化学泵们的极大关注11-21． 以后，相继有不少学者先后宣布获得非晶恋C-N膜[3-61．其出，某些c—N薄膜已达到相当高的 硬度【7】．许多学者对c—H薄膜的性能和结构进行了广泛的研究[4—6】．采用了各种近代的物理和 行研究．由于CN，薄膜热处理中的分解过程较为复杂，有关蛆份的挥发机制尚需深入研究． 2，实验 2．1cH：薄膜制备 采用礅控溅射仪在单晶硅基片和Nacl颗粒上沉积氮化碳．靶材气体为Ar和高纯也，适过 x1 质量流量计控制引^。真空度为4 0-6mbar。在玩积前需对石墨靶进行预溅，以清除靶面 的吸附物．沉积的直流功率为5OOW，溅射时闻为I小时． 2．2TG—Ms测定 Toieado ShanghaiLtd．Co．)和 奉研究采用的仪器是TGA／SDTA85le热分析仪(Metter ThermostarBKM26—267四极质谱仪(BalzersCo．)耦合联用装置．试榉重2mg．温度测定范围：室 温一15 x10一rnbsr．MS D0℃．升温速率为1oc／分．通氢气，流量为30mr／分。质谱系统真空度为5 分析以连续方式进行．质谱扫描速度为lamus一． ● 3：结果与讨论 3．1 16和Ms测定结果 图1是在氩气气氛下测得的ol{，薄膜的TG曲线．从室温至700(2左右，cH，薄膜失重为 ．7％，分几个台阶，表明cHx薄膜有挥发性组份逸出．图2是在氢气气氛下以连续扫描 方式剥得的cN，薄膜的MS曲线．在190℃，400C，540(2和710℃有Ms正高子质谱峰 19 ℃ 检 出 ． 其 中 ， 在 9 ， 检 出 的 峰 为 2+( ro／z=5 2)；在4 00℃左右，捡出的峰c、(m／z=1