单分子层保护银团簇修饰碳糊电极的电催化测定的研究.pdfVIP

  • 7
  • 0
  • 约2.61千字
  • 约 2页
  • 2017-08-15 发布于安徽
  • 举报

单分子层保护银团簇修饰碳糊电极的电催化测定的研究.pdf

广西师范大学学报(自然科学版) 2003年10月 JOURNAl,OFGUANGXINORMALUNlVERSITY 单分子层保护银团簇修饰碳糊电 极的电催化测定研究 王赖胤,乔涛,陈玉静.胡效亚。 【扬州大学化学化工学院,江苏扬州225002) 在纳米颗粒表层修饰或组装一单分子层形成的团簇被称为单分子层保护团簇(Monolayer 良好的催化性能”…,本工作制作了一种新型化学修饰电极——纳米AgMPCs修饰碳糊电极,实验表明, 该电极对抗坏血酸和茶苯海明电化学氧化有明显催化作用,用于药物茶苯海明的测定,结果满意. 1 AgMPCs的合成 加人CHCI。,沉淀萃取剂,搅拌,向反应体系中缓慢滴加0.05 机相离心,常温风干,得橙红色银的固体纳米粒子,甲苯溶解,置于20。c的冰箱中保存.通过透视电镜观 nm. 察.AgMPCs直径约为2 2 AgMPCs修饰碳糊电极的制作 均匀附着在石墨粉上,加入一定量的石蜡油.调成碳糊状.该碳糊涂覆于直径6em玻璃管(内有铜丝连接 碳棒电极为导体),厚度3mm,光滑纸面磨光即可. 3 AgMPCs修饰碳糊电极对抗坏血酸催化 搅拌富集40s,然后静止20s,电位从一1.5V扫描至+1.5V,采用循环伏安法记录r£曲线.在碳糊 电报上,抗坏血酸的氧化峰产生在+0.592 +0.222V,与碳糊电极相比,抗坏血酸的峰形更为显著,峰电位明显负移达370mV,说明抗坏血酸在 75(123 基盒项目:国家自然科学基金资助项目(20f 学基金资助项目(02KJBl500l3) 作者简介:王祯胤(1967),男,江苏苏州人.硕士副教授.研究方向:电分析化学.电话:05l yzcn.net· 广西师范大学学报(自然科学版) 第21卷 对抗坏血酸的氧化有明显催化作用 4 AgMPCs修饰碳糊电极催化测定药物茶苯海明 s, 将修饰碳糊电极等三电极系统置于含一定量茶苯海明溶液的混合磷酸盐底液中.开路搅拌富集40 然后静止205,电位从0V扫描至+1.2V,采用差示脉冲伏安法记录zE曲线(见图1),实验表明,在碳 糊电极上,茶苯海明的氧化峰产生在+0.990 十0.895 V,与碳糊电极相比,茶苯海明的峰形更显著,峰电位负移95mV,峰电流明显增大,峰形更显著、 海明浓度在3.4×106~5.4×105mot/l,和7.5×10_5~4.1×10mol/I,范围内呈良好的线性关系, 便、价格低廉,使用方便,直接用于药物制剂乘晕宁CZ.海金山制药有限公司)的测定,结果满意. 图1 茶苯海明的差示脉冲伏安图 A 5×10叫mol/L;底液:000125mo[/Ll}Cj AgMPCs修饰碳糊电饭;B碳糊电投;c底液空白(修饰碳糊电极)茶苯海明浓度:2 KH mV/s;脉冲高度:50mV;脉冲宽度:005s;脉冲间隔02 s 2PO。和NazHPO‘混合缓冲溶液,扫描速率:5 参考文献 M.ChemCommun,1994,7:801 [1]BrustM,Walker 41:187 shiY.ToshimaNJournalofMolecularCatalysisA:Chemical,1999·1 [2]Shiral G LR raGO.JPhysChemB·2002·106:2482· G,Dy‘az D,Herna‘ndez—Seg

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档