沉积a-Si%3aH薄膜衬底温度对固相晶化影响地研究.pdfVIP

第8卷增刊 金属功能材料 Vol8 Supp 2001年3月M舢cnⅢclj州Materials MⅢdl蜘1 ————————～————————————————～————一——————————————————————————————一 沉积a-Si：H薄膜衬底温度对固相晶化影响的研究 姚若河林璇英吴萍奈楚迎林{萋训 (汕头大学物理学系汕头sls063) 摘要用a-N：H薄膜经固相晶化为多晶硅薄膜，其形成的晶粒尺寸和性能与a-Si：H薄膜的初始 结构有密切关系，而a-Si：H薄膜的初始结构依赖于沉积条件，其中村底温度是一个重要的因素。 本文重点研究沉积a-Si：H薄膜衬底温度对后续同相晶化效果的影响。实验表明存在一个最佳的 沉积衬底温度，使得最终获得的多晶硅薄膜的性能最优。并对其机制进行了分折讨论。 关建词多晶碱．衬底温度固相晶化 中圈分类号诤㈣i呻 文献标识码A iq 1前言 H2。射频频率为13．56MIIz，放电功率为 多晶硅薄膜因较非晶硅薄膜有较高的迁 30W，反应室压强为帅P且，分别制备出村底温 移率及在800—100run波段具有强的光吸收 度为200℃、250℃、300E和350℃的4批样 等优点而在大面积T盯有源平板显示、大面 品。然后再将各批样品切割成若干小块分别 积太阳能电池等方面具有广泛的应用前景。 放人充有N2保护的退火炉中进行不同温度 目前制备多晶硅薄膜的主要方法有液相 条件下退火，使其固相晶化为多晶硅薄膜。 退火温度分别为500℃、550℃、6000C和 生长、CVD法、激光诱导晶化和由”si：H固 650℃，退火时间均为3h。 相晶化等。其中用PCVD法沉积}sj：H薄 膜，再经退火(固相晶化)获得的多晶硅薄膜 3结果和讨论 因可望在较低温度条件下制备大面积的多晶 经过退火处理后的样品分别用XRD(X 硅薄膜而成为在工业上具有应用前景的一个 射线衍射)、SEM(扫描电镜)分析，并分别测 方法。因此，虽然用固相晶化从非晶硅薄膜 量其退火前后的富温暗电导率。 获得多晶硅薄膜的方法已提出了若干 XRD谱表明，在不同样品中，均在550％ 年¨．2J，但近期仍有不少文章对这一方法加 退火条件下出现最大的结晶峰。且其晶化主 以研究和改进E3,4,sJ。 要发生在111方向，220及311方 向也观察到了结晶峰，但相对比例很小。由 用a-Si：H薄膜经固相晶化为多晶硅薄 于晶化主要集中在111面，通过测量 膜，其形成的晶粒尺寸和性能与a-SJ：H薄膜 111面衍射峰的半高宽度，再应用Deby- 的初始结构有关，而a-Si：H薄膜的初始结构 Schere公式计算出其平均晶粒的大小，结果 依赖于沉积条件，其中衬底温度是一个重要 如图1。 的因素。本文重点研究沉积a．蛳：H薄膜村 由图1可见，在沉积a-Si：H薄膜时衬底 底温度对后续固相晶化效果的影响。 温度为300％时，其样品经固相晶化后获得 2实验方法 的多晶硅粒尺寸