离子注入法制备掺Er-Al-%2c2-O-%2c3-薄膜地研究.pdfVIP

2003年10月 第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会 北京 离子注入法制备掺Er．A1203薄膜的研究 肖海波，张昌盛，林志浪，陈志君，张峰，邹世昌 (中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，上海200050) 退火样品强度特别低。光透射谱表明几乎所有的测试范围内尤其在153um处7000c退火样品的 透射谱强度最强，波导损耗最低。1．53um波长处透射强度随退火温度的变化跟PL谱中发光强度 的变化相反。说明Er离子在514．5nm泵谱吸收界面。跟A1203的光吸收损耗有一定关系。 关键词：EDWA：光致发光；泵谱吸收界面 1引言 稀土元素Er3+从第一激发态4Il 充分挖掘光纤带宽潜力，降低光信息能量的传输损耗，实现超高速通讯，是目前光信息传输的主 成本市场的自然扩展，被认为是硅片上高集成光器件的关键技术…-I…。 活性E一+浓度要达到lO”一10”cm～，即0．1％一1％的浓度要求…。如此高的掺铒浓度，需要选择有较 大溶解度的衬底材料。近年研究较为热门的是纳米硅和A120，。A1203是比较好的波导材料，相对 价、晶体结构、晶格常数，在A1203结构中高浓度掺Er成为可能。近年来，国内科研单位在掺铒 以后的光学特性。 2实验 Nicolet 直径Imm。液氮冷却的InSb探测器检测发射光。室温下测试透射谱，为减少非抛光表面反射光 的影响，粗糙面正对光源。 基金项目：国家863计划(2001AA312070) 作者简介：男，硕士乍．现从事掺Er波导材料与器件的研究工作，Email：hbxia02002@163tom -211． 2003年lO月 第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会 北京 3结果与分析 由TRIM程序模拟得知Er分布为高 5 斯分布，峰值在3lnm深度，半高宽7nm。 4 6000C退火后的PL谱见图1，峰值在 1．530um，形状是Er植入固体中典型 3 的形状，归结于退化的4f能级Stark分 裂。PL谱在100K下测得，小的锯齿峰 2 是因缺少锁相放大激光器的扰动噪音。 峰强度随退火温度的变化见图2， 1 一号B)誊耸霍一．1d 在7000C左右出现不连续的行为。这不 同于以前的报道17l_181，文献7指出不连O 续的现象发生在8250C，这是由于不同 1 制备方法导致AIzO，结构不同引起的”1。 发光强度跟寿命、吸收界面、活性 1524 1526 1528 1530 1532 1534 Wavelength(nml 部分有关。在单模理论中，假设激发到 2H㈨能级的电子快速衰退到第一激发 图1 掺铒A1203薄膜6000c退火后的发光谱。剂量5× 态4Im，速率方程可以写成： 1530nm旁边的锯齿峰是扰动噪音。 1pump NG IDl—f (1) ‘hv仃 三：土+上 (2) f 仃伽r ¨ IPL是第一激发态41m跃迁到基态 ¨ (n 4115n的发光强度，f是Er光激活部分， 神