抛光参数对抛光液传输影响地研究.pdfVIP

第1l届全国磨^4技术学术套议论文集 抛光参数对抛光液传输影响的研究‘ 沈中伟1袁巨龙1林彬2郑家锦3阮犍4张立张4 。浙江工业大学职教学院310014杭州市捌晖六区 2天津大学高温结构陶瓷及工程陶瓷加T技术教育部重点实验室300072天津市天津大学机械学院 3浙江T业太学浙西分棱324006浙江衢州市 4浙江工业大学机电学院310014杭州市朝晖六区 关键词：化学机械抛光，抛光参数，抛光液传榆 一、研究背景 能力对抛光速率的一致性是如何影响的。Ali等人(1994)阐述了抛光液成份、抛光液流速和抛光演冲击 抛光垫的方向都对材料去除率起重要作用。LeeCook阐述抛光液从试片外面如何传输到试片中心是极其重 要[拘(Singer 少是因为带槽抛光垫可以更平均地吸收和散布穿过试片下方的抛光液。A1i(1997)主张未修整的抛光垫使去 除率降低的原因是由抛光垫对抛光液保持力的减少引起的。 尽管抛光液流通常被认为是CMP加工中盼重要因素。但是还没有对抛光液流进行实验研究，也没有足 够精确的数字仿真去检验实际条件下的抛光液状态。本研究的目标是确定抛光过程中试片下方的抛光液是 如何进行传输的散布的。本文主要研究抛光盘转速、抛光液流速、抛光垫种类、抛光垫表面形貌、抛光压 力以及抛光垫现场修整对抛光液流的影响。 二、实验条件与方法 1、实验条件：图1表示用丁：研究试片下方液流的CMP装置示意图，一台无级变速抛光机驱动30mm直径 的抛光盘，标准抛光头旋转并向下加力到75ram直径的试片上。由于本实验使用光学测量技术来测量流体 参数。因此，特选用透光的玻璃试片来模拟各种材料试片。用两台高分辨率的空间校直数字摄像机来测量 试片F方的萤光特征。用HP3562A型动态信号分析仪对信号进行处理。 围1 c即实验装置示意围 抛光盘转速、抛光压力、抛光液的传输以及修整速度均通过计算机监测和控制。此外，通过计算机使 摄像机和抛光过程同步，以测量抛光过程任一瞬时的萤光特征。 2、实验方法：实验的目的是确定影响试片下方抛光液混合的重要因素a检测的因素有抛券盘转速、抛速 压力、流速、抛光垫梢深和抛光垫结构。每个变量的三个水平列于表l中。实验采用的流速范围为实际工 ·教育部高每学授重赢实验室话筒学者基盘寅助项白；浙扛省自端科学基金寅锄项目(5壹∞蛄；299009) 10● ’●’●。。一—。“。。。1’。。’。。。。。一一 第11届全国磨州技术学术会议论文粟 业加工流速范围的1／4左右。抛光盘速度用抛光垫上与试片中心下方对应点的线速度表示。本研究选用的 抛光垫槽形为十字形(即x．y形)，槽底是平的。 裹I实验因素和水平 困 素 水 平 抛光液流速 20，35，50ca／rain 抛光盘速度 025～0．40r11，scc 抛光压力 2，4．60si 抛光垫槽深 0，20．40mils 抛光垫结构 平面．开槽 在每次开机实验之前，抛光垫装在抛光机上先修接10分钟。在抛光垫修整期间，抛光液流速设置为 参数(抛光盘速度、抛光压力等)设定到当前实验的设计值，并采集液流的可视化图像。修摧器连续操作， 直到采集到所有的液流可视化图像和液流混合数据。之后，再采集