ZnO薄膜的IBA-PLD法外延生长的研究.pdfVIP

ZnO薄膜的IBA．PLD法外延生长研究’ 杨少延，柴春林，刘志凯，廖梅勇，姚振钰，秦复光，王占国 (中国科学院半导体所半导体材料科学实验室．北京tooos3) 摘要：本文采用一种全新的脉冲激光淀积(PLD)品格失配度仅为2．2％．以ZnO薄膜为缓冲层．可减 少GaN中穿通位错的生成，因此znO薄膜在si上 技术一离子束辅助的脉冲激光淀积([BA-PLD)法． 利用波长为532nm的Nd：YAG脉冲溉光．进行了生长结构和性能优良GaN的研究中的应用也倍受重 si村底上的ZnO薄膜生长研究．采用低能0+离子柬视口1。要实现ZnO的各种应用．生长得到C-轴单一 取向结构是重要前提之一．为了改善长波长脉冲激 辅助淀积在190C生长得到7具有高度C．轴单一取 向的ZnO薄膜．蛄晶质量最好样品的ZnO(002)光(如532nm的Nd：YAG固体脉冲激光)在si村 底上生长的ZnO薄膜成膜质量，本文采用一种全新 峰的x射残摇摆曲线o(RO的半高宽(FWHM)扳 为2．2。，铖歇能谱(AES)深度分析表明，谊腱中的脉冲激光淀积技术一离子柬辅助脉冲澈光淀积 氧成分充足．沿膜姒向zIl与O的成分分布均匀，接 ([BA-PLD)技术进行ZnO薄膜的外延生长研究· 近于正化学比． 在190℃的较低生长温度下．利用低能0+离子束辅 关键词：氯化锌；离于柬辅助；脉冲激光淀积 助淀积．在Si(111)衬底上生长得到了高质量的ZnO 薄膜． 1引言 2样品的制备 脉冲激光淀积(PLD)技术是制备高熔点氧化 物的常用方i击之一．其技术特点是工艺衙单一重复 ZnO薄膜样品是在我们实验室一台具有质量分 性好．节约原材料．可实现低温、优质外延。但薄 离功能的低能双离子柬淀积(M☆^∞1归耐-Low． 膜的结晶质量与生长速率往往受所使用的脉冲激光 输出波长的限制．比如在si衬底上制备宽禁带材料 综台工艺系统上制备的．该系统的结构与功能详见 ZnO(毋q．37eV)薄膜时，一般采用短波长的248nm rim的Nd：YAG激光比采用长波另文I‘1． 的KrF激光或266 长的532nm的Nd：YAG激光制备的ZnO薄膜结晶采用阻值为7~110’∞的P-Si(111)作村底· 生长前作了有机溶剂清洗和去氧化层处理IZaO激 质量好，采用短波长的248nm的KrF激光在sj(100) 村底上制备的ZnO薄膜，结晶质量最好的样品具有 光靶材为纯度99．9辨啪ZnO粉末高压烧结而成；辅 助淀积的高纯低能o．离子柬是由MALE-DIBD部分 高度的。轴单一取向．其ZnO(002)蚌的XRC的 的II束的Fmmum型离子源商化CO气体提供；生 FWHIVl为I．6。)IL1．而利用532nm的Nd：YAG激 长室的真空度维持在665×10Pa的超高真空；生长 光在si衬底上生长都没得到很好结果·在Si(111) 村底上甚至未见有实现c．轴单一取向的报道·这是 温度由村底加热装置根据需要提供t本文制备的4 个样品的生长温度都为190℃· 困为长波长激光(如532nm的Nd：YAG激光)比 生长过程中．用经=倍频KTP晶体倍频出的 短波长激光(如248nm的KrF激光或266nm的Nd： Nd；YAG脉冲激光(波长为532nm、脉宽20ns、能