μc-SiC%3aH太阳电池窗口材料地研究.pdfVIP

Fc—SiC：H太阳电池窗口材料的研究 任慧志1 孙建1 郭群超2 侯国付1 薛俊明1 张德坤1 朱锋1 耿新华 1南开大学光电子所，天津，300071 2河北工业大学，天津，300130 SiC：H) 摘要：用P型微晶硅(即c—Si：H)或微晶硅碳薄膜(Puc-SiC：H)代替非晶硅碳(Pa 作非晶硅薄膜太阳电池的+窗口材料，可以显著改善电池TCO／P+界面和叠层电池隧道结的 接触特性，提高电池的填充因子和转换效率。本文采用七室连续RF—PECVD系统，通过调 节衬底温度及精确控制B2H。的掺杂量，制备出了电导率达到10～1S／cm量级，光学带隙大于 2．2eV的优质P型微晶硅碳窗口(P,uc-SiC：H)材料。 关键词：P型微晶硅碳电导率掺杂率 Siliconand SiliconCarbon in Abstract：MicrocrystallineMicrocrystalline layersamorphous P thecontact betweenTCOand solarcells ofinterface siliconthin—film can improve properties as in solar inremarkable well double P+as tunnel】unctionJunctionceils，resulting improving thefillfactor(FF)andconversion ofcells．Inthis efficiency paper，excellent Siliconand SiliconCarbonwindowmaterialshavebeen microcrvstallineMicrocrystalline obtained suhstrate and of H6and controllingquantumdopedgas—B2 byadjusting temperature the of10—1 and is reaches S／cm CH‘accurately，whoseconductivity magnitude opticsgap 2．2eV． widerthan ‘ carbon rate Silicon conductivity Keywords：P-mirocrystalline doped 1引言