氧化锌薄膜掺杂的研究的新进展.pdfVIP

第8卷增刊2 中国有色金属学报 998年9月 Vol8 2 TheChinese NonfetrollsMetals Sep1998 of Supd Journal 氧化锌薄膜掺杂研究的新进展 赵谢群邱向东 (北京有色金属研究总院603室，北京100088) 摘要 综述了掺杂Al，Ga，1n，Ge．c。．IJ和Pb等元素对ZnO薄膜的徽结构及电、光、气敏等性 质的影响。 关键词ZnO薄膜播杂性质 znO薄膜在透明电极、液晶显示、压电器 大．电导率与霍尔迁移率在AJ／Zn摩尔比为 件、气体传感器等众多领域具有广泛应用前 0009时有最高值。这一现象的成因是A13+在 zn2+位置的取代掺杂造成了一个额外的自由 景。掺铝的氧化锌薄膜(表示为zn0：AI或 载流子，当掺杂水平升高时，更多的掺杂原子 AzO)的导电性能比纯ZnO薄膜显著提高，可 见光波段透光性能也部分得到改善，可与目前 占据zn原子晶格位置，导致产生了更多的载 流子，因而，电导率随掺杂量升高。然而，掺 应用的氧化铟锡(ITO)或氧化锡(s．02)透 明电极相比，使znO薄膜用作透明导体成为 杂浓度升高到一定值后，晶粒与晶界中的掺杂 可能。AzO膜不仅透明导电性能好，而且稳定 原子趋于饱和，这时过高的掺杂浓度导致离化 性高，是700K以下温度范围内在氢等离子体杂质散射，使薄膜的霍尔迁移率下降【2J。 气氛中唯一稳定的透明导电薄膜…。因此适用 在用溅射法制备AZO膜时，分为单靶溅 于太阳电池透明电极，有可能取代ITO和 射与双靶溅射。文献[3]认为在纯Ar气氛中溅 射制备的ZnO膜存在缺乏Zn的问题，掺舢可 sn02电极，推动廉价太阳电池的发展。其它 补偿zn缺陷，增加施主浓度，从而使载流子 Ga，In，Li和Pb等的掺杂同样使ZnO薄膜材 浓度增加而霍尔迁移率不变。Park将高纯ZnO 料特性发生相应的改变，因而可应用于不同技 与不同含量的AJ203粉烧结成靶，在衬底温度 术领域，提高器件水平。 150C、射频功率150W、溅射靶含3％(质量 分数)A1203时得到光透过率高于90％、电阻 1 A1的掺杂 率4．7×10。4n·cm的AZO膜，载流子浓度从 不掺杂时的8．7×10”cm-3升高到7，5×1020 应用各种方法制备znO薄膜时均可容易 cm一3。图2为～掺杂量对薄膜透光率的影响， 地实现A1的掺杂．掺杂的最佳剂量与掺杂效 可见，适当掺杂可改善znO薄膜在380～500 果因方法和工艺参数而异。应用真空热蒸发工 nm蓝绿光区的透光性能，且使光能隙发生蓝 艺，Ma等【21以醋酸锌和A1C13为原料制备了 移，并得出蓝移程度与载流子浓度的1／3次方 AZO膜。在同样的工艺条件下，AZO膜比ZnO 成正比的结论…。Heerden等用喷射热分解法 的衍射峰高且半高宽小，二者电导率的比较示 制备AZO膜．着重研究了掺杂后的晶体结构， 于图1，掺杂样品比不掺杂样品电导率