阴极真是弧沉积中第二阳极现象的研究.pdfVIP

阴极真空弧沉积中第二阳极现象研究* 王广甫 4·‘，张荟星2 ()I七京师范大学测试中心，2，北京师范大学低能核物理研究所，100875,北京) I 摘要介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地两种不同工作状态下的工作 特性。发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对弧源放电稳 定性的影响不如阴极接地时明显。因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得流强较高和较 稳定的沉积离子束。 关艘词 真空弧沉积:阳极接地;阴极接地:CE 等离子体源 由于放电稳定，蒸发出的阴极材料离化率高，成膜速度快和离子能量高和能够沉积 高质量的金属和半导体膜等优点，真空弧等离子体沉积 V〔acuumArcPlasma Deposition)技术已广泛应用于沉积金属、非晶金刚石及化合物薄膜和涂层上，一s1。在磁 过滤阴极真空弧沉积系统的研制过程“j中，我们对阴极真空弧放电等离子体源的工作特 性进行了实验研究。我们发现:在阴极接地和阳极接地两种情况下，弧源的工作性能有 很大差别。而这种差别是由于靶室外壁的第二阳极作用引起的。本文对这种实验现象进 行了研究。 1 实验装置 5聚焦线包 图1是弧源沉积装置的示 意图。其中阴极真空弧等离子 体源触发和起弧机制采用我所 研制的MEVVA脉冲离子源的触 发和起弧机制’B7触发频率有 1Hz， 4Hz， 78z， IOHZ， 12Hz,25Hz和50Hz挡可供选 抽真空 择，主弧脉冲宽度为2.5ms, 实验中，阴极为Ti，阴极直 图1弧源沉积装置的示意图。 径20mm;触发电压10KV，触 发频率4Hz;阳极孔径60mm, 靶距离阳极出口5。二，靶盘直径为 IOOmm。为准确测量打到靶上的离子流和调节沉积离 子能量，靶上可加 。--300V的负偏压。下述实验中，两种工作方式下装置的接线情况 是相同的，不同的是装置的接地点分别是弧源的阴极和阳极。 .国家 “八六三”计划 (863-715-008-0040)资助项目 .24- ~一 ~一~，，一一一，种 -一目一一“~~-~--~-一一-一-一一一一一一 ， 卜 实验结果及讨论 佃 诩 .印幻.0内 加江“目 .印幻0c曰lodlc口oiaid 2 . 1第二阳极对弧钾阳极电流的形响 a 2 1 0 0 1 气 阶 图2是无聚焦磁场时，阴极和阳极分 ‘ 别接地的情况下，弧压 (起弧前阳极和阴 - . 6 0 极间的电压)和弧流的关系。由实验结果 4 0 看，两种情况下，弧压和弧流都保持了很 加 好的线性关系。但很明显，阳极接地时所 6D 100 120 ，菊 ，日】 1钱， 万旧 V-N 测弧流较低，而阴极接地时所测弧流较 图2两种工作方式下，MEVVA源弧压 高。分