5.5Tesla强场下Bi2Sr2CaCu2O8%2b□%2fI%2fZn结的隧道谱的研究.pdfVIP

5．5TesI i a强场下B 的隧道谱研究木 陶宏杰 宣毅 赵柏儒 赵忠贤 中国科学院劫理研究所超导国家重^宴转室和中国科学院凝聚卷物理中心。北京11)0080 ￡摘要]本文首次报道了高质量B如Sr：CaCu：％．。／IlZn结的隧道谱髓温度和磁场的变化的系统研究．观测到 磁场垂直Bb面地平行ab面对隧道潜的影响要丈很多。奉实验对高温超导体Bi2212的强的备向异性给 』}{r一个新的证据。 一、引言 毫无疑问单电子隧道结的制各和单电子隧道谱的研究在超导电子学占有重要位置。 在第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议的论文中，我们曾详细介绍了在 Bi 2Sr2CaCu208．口／I／Zn隧道结的制备和隧道谱研究方面的：[作[1】。本文将简要介绍强磁场 下Bi 2Sr2CaCuzOm／I／Zn结的隧道谱研究的新结果。实验表明我们所制备的 很好的磁稳定性。这样的高质量的高温超导单电子隧道结已在高温超导隧道谱研究中得 到应用，我们相信它也将会在高温超导电子学中找到应用。 二、样品制备及实验测量 本研究所用的Bi22t2单晶以及隧