光刻工艺论文.docVIP

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光刻工艺论文.doc

摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。光刻工艺是利用光刻胶的感光性和耐蚀性,在SIO2或金属膜上复印并刻蚀出与掩模版完全对应的几何图形.由于光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术,在平面器件和集成电路生产中得到广泛应用.如果把硅片的外延、氧化、扩散和淀积看成是器件结构的纵向控制的话,那么,器件的横向控制就几乎全部有光刻来实现.因此,光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标,同时也是影响器件的成品率和可靠性的重要因素. ? 目前生产上通常采用的紫外光接触暴光法光刻工艺的一般过程;列出几种常用的光刻腐蚀剂配方;最后对光刻工艺中较常见的质量问题进行分析和讨论. ???????????????????? §1光刻胶的特性和配置 ? 1.光刻胶的性质 ? 光致抗蚀剂是一种主要由碳、氢等元素组成的高分子化合物,其分子结构有线型和体型两种。线型高分子化合物,其长链之间的结合力主要是靠化学键。由于分子间作用力比化学键的结合要弱的多,所以线型高分子化合物一般是可溶性的,而体型高分子化合物往往是难溶性的。 ? ?? 如果在高分子化合物内部存在不稳定的双键等可变因素的话,则在外界光或热的作用下,高分子化合物的分子结构就可能会在线型和体型之间发生变化。分子结构的变化,必然会引起高分子化合物的机械和物理性质的相应变化。例如,由可溶性变为不可溶性或者相反。光刻工艺就是利用光致抗蚀剂有这样内在的可变因素,在一定条件下使部分高分子化合物由可溶性转变为不可溶性,或由不可溶性转变为可溶性,将掩模上的图形复印在光刻胶膜上。然后利用光刻胶膜对腐蚀液的抗蚀性,在硅片表面选择性地刻蚀SIO2或金属膜,实现定域扩散及金属膜布线的目的。 ? ? 2.光致抗蚀剂的种类 ? ? 根据光致抗蚀剂在曝光前后溶解性的变化,可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种。 ? (1)??? 负性光致抗蚀剂 曝光前光致抗蚀剂在有机溶剂中是可溶解的,曝光后成为不可溶的物质,这类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。目前,主要的负性光致抗蚀剂有聚肉桂酸酯类,聚酯类和环化橡胶类等。 ? 聚肉桂酸脂类 聚肉桂酸脂类抗蚀剂的特点是在树脂分子的侧链上带有肉桂酰感光性官能团。典型的聚肉桂酸脂类抗蚀剂有聚乙烯醇脂(又称KPR),他是一种浅黄色的纤维状固体,能溶解于丙酮,丁酮,环已酮等有机溶剂中。 ? 在紫外光的作用下,肉桂酰官能团发生二聚反应,引起聚合物分子间的交联,形成不溶于显影液的立体网状结构。光刻胶中加入适量的5-硝基苊,不仅扩大了感光波长范围,而且提高了光刻胶的感光灵敏度,缩短了暴光时间。聚乙烯醇肉桂酸脂经交联反应后生成的立体网状分子结构不再溶于有机溶剂,干燥后又能耐酸的腐蚀,光刻腐蚀后可以通过多种途径去除干净,因此在光刻技术中得到了广泛的应用。 ? ? 聚脂类? 聚脂类光致抗蚀剂的特点,是在树脂分子的侧链上含有共轭双键的感光性官能团,具有较强的感光灵敏度;在感光性树脂分子的主链上含有极性基团,因而对一些衬底材料,如SIO2和AL,有较好的粘附性。聚酯类光刻胶也可用5-硝基苊作增感剂以缩短暴光时间。聚酯胶与聚乙烯醇肉桂酸酯比较,前者粘附性好,分辨率高,适合于刻蚀细线条。 ? ?环化橡胶类? 环化橡胶类抗蚀剂的特点是,其交联反应由带有双感光性官能团的交联剂,在暴光后产生双自由基,和附近的环化橡胶分子相互作用,在聚合物分子链之间形成桥键,从而变成三维结构的不溶性物质。 ? 由于这类抗蚀剂和衬底材料有较强的粘附性,抗蚀能力也很强,特别适合于金属材料的刻蚀。但由于氧会使交联剂的光化学分解反应停留在中间阶段,即停留在生成N—R—N3的阶段而阻碍了交联反应的进行,因此暴光要在充氮或真空条件下进行。 ? 正性光致抗蚀剂? 暴光前对某些溶剂是不可溶的,而暴光后却变成了可溶性的抗蚀剂称为正性光致抗蚀剂。暴光后,可用稀碱性水溶液进行显影。这时光照部分由于生成羧酸盐而溶解,而未受光照部分难溶,因而显出与掩膜版相同的正图象。 ? 正性抗蚀剂的抗碱性差而耐酸性好,所以常用1.5~3%Na3PO4水溶液进行显影,为了避免钠离子对器件的不良影响,也可用有机碱性水溶液进行显影,如氢氧化四烷基铵水溶液等.由于碱性显影液会受空气中CO2的影响而变质,因此显影速率会随时间发生变化.但正性光刻胶分辨率高,边缘整齐,反刻时易于套刻,是一种重要的抗蚀剂. ? 对光致抗蚀剂性能的要求 分辨率高? 分辨率是指某种光刻胶光刻时所能得到的最小尺寸.它通常用1mm的宽度上能刻蚀出可分辨的最大线条数目来表示.若能刻蚀出可分辨的最小线宽为W/2,线与线之间距离也为W/2,则分辨率为1/W,单位为条线 . 分辨率与光刻工艺有关;也与光致抗蚀剂本身的结构性质有关.例如正性胶的分辨率高于负性胶;光刻

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