宽禁带半导体材料和纳米材料的低温光致发光研究.pdfVIP

宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究‘ 万寿科，孙学浩，张金福，王占圆 (中国科学院半导体研究所材料科学实验室．北京100083) 搞蔓t我们近期建立了一叁适用于宽禁带半导作 材料和蚋米材料进行低温PL测试的乐境．谊曩纯对 2低温、变温PL测试系统 MOCVD法生长，以适当配比鼠掺Sj、zn杂质的6H —G甜单晶薄膜进行潮量．在300K时。A峰为带 本研究建成一套低温、变温PL潮试系坑．其中 迫峰，波长为367，Into(3，37．5Ⅳ)；B峰为si，zlI 单色仪为法国的H25，波长范围180一1000nm：探 发光峰．连长为429．8nm(2,883eVLB峰强度是A 捆器为GaAs阴极的c31034型光电倍增臂；激发光 峰的14倍左右，谊材料可作为制追蓝光LED的优源为日本IGnunon公司的He-CⅪ激光嚣．波长为 _良材质．时掺N的6H--SiC单矗律在20kV高压下 325ran(，J1一)。：身事为35row·样品室采用美国 鼻子注八B(碉)，其表皮为l007％r鲁，进而在1700C APD公司的二圾氨循环制狰器．沮度范圈40—300K 起高温下进行热处理获得P型SiC样品，在4．76--130K 连续可调。控制精度0．01K．PL信号由计算机自 进行史温PL谱洲量，其站果我们分析为A，B，c动采集井处理·一次可完成多个样品籍量，必要时 峰是带遗峰．D峰为与碉蹙主有关的峰．在130K以可对样品进行PLMapping潮量· 下，随温度降低A．B’c峰．々忱t和幅度而渐如地 增强，符合半导体光致发光规律．善次，对咎不罔 3双掺7m、Si杂质的6H-GaN的PL 杂质啻l如：Mn(锰)．Hf(格)、研(铒)的硅酸盐 谱 蚺米材料进行丁变温PL谱剥量，在蓝．蟓光波段获 得极强的发光．此外．通过以上三种类型样品的测 罅样品是用MOCVD方法在口一～20)衬底上． t蛄果，表明谊PL测试幕tt具有实用．精确．快捷双掺适当配比的a、sj杂质的6H-GaN单晶薄膜． 等特点． PL测量结果如图I所示·在300K时．A埤为带边 关键词：氢化诔；碟化硅；硅酸盐纳米材料，光致 发光蚌波长为367．1nm(3．375eV)；B峰为zn、Si 发光 存L质发光峰，波长为429．孙m(2．883eV)．在室内照 明环境下肉碾可见到非常耀跟的强匿光．朱见黄、 1引言 红光波段的PL发射．B峰强度，A蜂强度-14．结果 表明此种材料蓝光发光效率商．色谱纯(未含黄、 近年来．由于MOCVD、MBE等生长技术的突 红光)．是翻造蓝光LED的优良材料．今后将在提 破性进展，使得GaN基的Ⅲ-V旗氯化物、酸化硅外高发光效率和碱小8峰的半高宽等方面深入研究． 延薄膜的光学电学性质得到显著的改瞢-致使宽禁 带半导体的光电器件得到长足的发展．诸如 l∞削，G州异质结及Ge．NPn结由蓝光到紫光波长 的大功率光电二极管(LED)的研究成功．蓝光激 光器(LD)和Ga,N／GH-S《紫光擦撼器的问世．随 着纳米材料近数年来的突飞猛进的发展t在蓝、{曩 光波段发光的纳米材料也在与半导体发光材料进行 激烈的竞争·我们最近冽量的掺哳l、珊、Er的硅 酸盐纳米材料发现有的发光强度接近某些半导体材 料．我们该套宽禁带半导体材料PL低温变沮潮试系 统也十分适用于发蓝、缘波长光的蚋米材料的PL谱 圈1 6H．．GeN：Zn,Si杂质曲PL谱 检测． ·薹叠项目；田素直蘸科学I点基垒舞黔疆目 170 4注硼的P型SiCPL谱 2#样