具有小电极的Ag%2fPb(Zr0.53Ti0.47）O3／YBa2CusO7-x三端器件地研究.pdfVIP

●第心届全凼超导薄膜与超导电f学器件学术会议沦文集● 三端器件的研究 刘保亭，Yu．Kislinskii4，郝昭，陈莺飞，许波，陈红，吴非，赵柏儒+ 中国科学院物理研究所．国家超导实验室，北京100080 撑Institute 0fCⅣs【allograph)’．Moscco¨；117333：Russia 摘要：应用脉冲激光沉积法和光刻技术我们成功地制作了 界(x砷．53)的550纳米厚的PZT作为r】屯极．通过优化沉积条件和门电极面积小型化 (6x104锄2)，在“K下三端器件fj电极显示r极好的电性能．低的矫碗场(～37 kV／cm)、大的饱和极化强度(60pC／cm2)、剩余极化强度(41pC／cm2)以及击穿电压一3×105 V／cm对于我们的场效应器件，在±9V的情况F淘道电阻坡调制一3％ 、简 介 021 由于低的载流子浓度(～l cm。)以及小的相干长度Ec(一0．2 ran)，高温氧化物超导体 在超导态和正常态时能显示强的场效应，圜此，在过去几年里，高温超导体的场效应器件 nIlll 效应，但是由于器件的挥发性，高质量超薄YBCO的制作以及其长期稳定性的困难，以 STO和超薄的YBCO异质结为基础的器件受到了限制．由于异质结的可重复性以及铁电 00 体的非挥发性，近年来用PzT和相对厚的YBCO(一lnm)分别代替STO和超薄的 Linet x500 YBCO研究场效应已经引起了极大的兴趣【5．71al[51研究r具有200um2的 et Pzl，YBCO：i端器件的转变行为和记忆放心并展示r该器件四种可能的输出Dong K的温度范围内其沟道 al[6l制作T000—500)x500pm2尺寸的铁电场效应器件，在77—85 and 电阻和I临界电流的变化达到2—5％DongLin两个研究小组在10r4oRl2量级门电极面 积尺寸的场效应器件上都得到了令人满意的场效应然而，对于大规模的场效应器件的应 用来讲同样受到了i，【=多限制．第一，与和碎集成的铁电存储器相比f单元尺寸2x2um21f81 电极iiil积过大【5．6】，而且大的电极面积同时意味着相对大的漏电流和RC决定的相对小的 反转速度第_I-．大的矫顽场存在，而这种矫顽场往往由PzT的组分和厚度决定在本文 中我们将报道由45nm厚的YBCO作导电沟道以及具有变形相界组分最小电极面积 PzT的性能以及YBCO导电沟道电场调制结果 ．、实验 应用脉冲激光沉积法，YBCO和PZTi冗议速度分别为0．4 4 nrrgpulse和lnm／pulse．把 ’Correspondingauthor；electronic accn mail：brzhao@aphy01iphy 刘f杲亭等：．t{,-fid、电极的Ag／Pb(Zro53Tio47)03／YBa2Cu307。三端器件的研究 Pb(Zn)53Ti0 8～2J／cm2被聚焦在旋转的