用双探头正电子湮没辐射多普勒展宽装置研究金属中高动量电子行为.pdfVIP

用双探头正电子湮没辐射多普勒展宽装置 研究金属中高动量电子的行为 邓 文””，黄宇阳”，吴道宏，，‘罗里熊”，熊良钱2):11 1)广西大学物理系，南宁530004 2)中国科学院金属研究所，沈阳 110016 3)中国科学院国际材料物理中心，沈阳 110016 摘要 采用双探头符合技术，可大幅度地降低正电子湮没辐射多普勒展宽谱的本底. 谱线的本底跟样品与高纯锗探头之间的距离有关:增加距离，可以降低谱线的本底. 谱线的本底越低，以单晶Al为参考作出的Ni的商谱越高。元素周期表中第四行过渡 元素Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu的商谱的谱峰随原子的3d电子数目的增多而升 高.从过渡元素的商谱可获得正电子与原子的3d和3p电子湮没的信息. 关键词 正电子湮没，符合技术，本底，3d电子. 1.前 言 正电子((e)湮没技术是研究晶体缺陷和电子结构重要的实验手段“1.正电子湮没寿命谱 能够提供它湮没前所在处的电子密度的信息，可区分具有不同开空间的缺陷.正电子湮没辐 射多普勒 (Doppler)展宽谱可提供湮没电子的动量分布信息，其原理是:正电子从22Na源产 生进入固体样品热化后，与固体中的电子湮没.在4,1没前，如果正负电子对是静止的，ft没 后通常产生两个动量人小相等，方向相反，能量均为511keV的Y光子;实际上，湮没前正负 电子对具有动量，这时湮没光子相对于511keV产生多普勒能移.原子中不同壳层的电子具有 不同的动量，多普勒展宽谱的低能端(峰区)主要来自正电子与价电子湮没的贡献，而高能端 (翼区)则来自正电子与核心电子湮没的贡献.对多普勒曲线的高能端进行分析，可获得原子 内层电子状态的 “指纹’,t2t.但在单一探头多普勒展宽装置中，湮没谱的本底较高，峰高与 本底之比仅约为200,因而难以从谱线的高能端提取核心电子的信息. 通过采用双探头系统，使两探头互为反平行，样品和放射源置于两探头之间;并采用 符合技术对信号进行选择，使脉冲高度多道分析器(MCA)只记录那些为正负电子湮没事件产 生的了光子的信号，即当同一湮没事件产生的两个方向相反的Y光子分别被两个探头探测到并 将信号同时送至符合电路的信号，这样，可大幅度降低谱线的本底，谱线的峰高与本底之比 高于10，可用于研究具有较高动量的内层(核心)电子状态12).对金属中3d电子态的变化特别 敏感13,毋].近年来，很多研究者利用此项新技术研究了各种纯元素以及半导体或半导体化合 物中的微观缺陷和电子结构，取得了一般实验手段难以获得的重要结果I+-vl 本文将测量Si,AI,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn和Ga等纯元素的正电子湮 没辐射多普勒展宽谱，从谱线的高能端提取核心电子的信息，研究这些金属元素原子的3d 电子的行为. 2.实验方法 纯Si,AI,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn和Ga等样品均在真空炉中 (压强低 于5x10mba)经过充分退火.其中，Si,AI,Ni和Zn为单晶:Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co, Cu和Ga为多晶样品.样品是直径约为12mm，厚度约为0.5mm的圆片，纯度均高于99.92wt.%. 以Kapton膜为衬底的22Na1E电子源的强度为3.7XIOSBq.两块相同的样品把这个源夹起来即 构成了样品.N一样品二明治结构.测量这些样品的正电子湮没寿命谱，获得单一寿命，说明 样品中的大部分缺陷己经回复. 正电子湮没辐射多普勒展宽谱采用双探头符合装置测量.主探头为高纯锗探头，用于记 录Y光子能谱.辅助探头为NaI(TI)闪烁体探头，用于提供符合信号.两探头互为反平行，样品 和放射源置于两探头之间.两探头的周围均用铅板屏蔽.多道分析器(MCA)的道宽为77.6eV. 试验在室温(25C)下进行.每条谱线的计数为107. 改变样品与高纯锗探头之间的距离。，可以获得不同的计数率.计数率越低，谱线的本 底越低.本文分别测量了单晶Si,AI和Ni在D为10cm,15cm,23cm,35cm时的正电子湮没辐 射多普勒展宽谱.然后，将样品与高纯锗探头之间的距离D固定为23cm，再测量纯Si,Al, Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,