微波大功率管芯S参数测量探究.pdfVIP

微波大功率管芯s参数测量研究 顾聪1 高一凡2 (1．陕西西安徽电子研究所，陕西西安，710054 2．西安公路交通大学．陕西西安。710064) 摘要：本文论述一种获取大功率MESFET管芯S参数的方法，通过潮量大管苍的小单 元、控制测量误差和数据处理，得到了拟合成大管芯的S参数，通过比较得出了一种间 接获取大功率管芯S参数的方法。实验和计算表明，此方法简单可行。 关键词：大功率管芯，S参数，参数间接获取 1．引言 对于12ram以上、具有4瓦左右徽波功率能力的功率GaAs微波管芯，要建立小信号模型，需 要S参数，它是一个非常重要而有用的参数，特别是获取多偏置的小信号S参数。一般可以通过矢 量网络分析仪直接测量得到，但同时也会受到分析仪的直流偏置网络卜_v漂移的影响及夹具探针 电流容量的限制。因而，大功率MESFET的小信号S参数难以直接获取【1】。 对于大功率管芯，在测量饱和区的小信号S参数时遇到了困难：6胞功率管芯的电流k大于 2．0A，而网络分析仪Wfltxon 360B的夹具探针电流容量为O．8A。因此只能溯量管芯电流约l，3以下 部分的S参数，也即管芯的部分线性区和截止区的S参数。要测量管子在任意偏置点下的S参数， 必须寻求别的方法。 本文将重点讨论在用大信号模型法获取功率管芯的大信号S参数时，铡量其小信号S参数所遇 到的问题．并提出解决问题的方法。 2．测量方法 由于大管芯MESFET各单胞的工艺条件是一致的，测试样品中各单胞的键台金丝长度也是一 致的，因此每个单胞的等效电路应该是相同的。那么我们就可以由单胞的S参数推算出大管芯总的 s参数。当然，由于营芯的工作频率比较高，已经进入了徽波毫米波的范围，各单胞之间可能会存 在电磁场耦合效应，这是我们必须加以考虑的．这样，我们以后获取营芯的S参数时则只需测量单 C 胞的S参数，而测量单胞的S参数是可以做到的。 为了验证此方法，把太管芯的6胞分解为中间双胞、边缘双胞和中间单胞、边缘单胞，大功率 测量单胞、双胞在三个区的各个偏置点下的S参数及6胞在截止区和部分线性区的S参数，再对单 胞、双胞的S参数进行比较、拟合，得出6胞大管芯对应偏置点下的S参数，从而确定单胞之间耦 合效应的影响。 3． 数据的测试及处理 4A左右，双胞应 由于6胞MESFET的最大饱和漏电流I^为2．4A左右，单胞最大电流应为0 为O．8A左右。而网络分析仪(Wdtxon360B)的探针电流容量最大为08A，因此可测量出单胞、双 胞所有电流工作点对应的S参数及6胞最大饱和电流的l，3以下部分的S参数。 (幻 (b) 图l 6胞正式管芯的硼巳sFI玎版图(a)与测试用版图(b) ． d 胞)、600mA(6胞)，摄漏偏置V“ffilOV的测量点．为了直观地比较拟台值和测量值之间的差异， 图2给出(IOV，一2．02V)偏置点下两个单胞报合成双胞后与双臆测量数据的S参撤的比较图，其余 偏量下的比较图由于篇幅有限，在此省略。通过比较发现，拟台曲线和对应的测量曲线趋势一致， 且十分接近。由此可见，在忽略边缘效应和单臆之间的耦台效应