钨酸铅晶体辐照损伤研究.pdfVIP

第9届垒蛋棱电子学与校探测技术学术年会论文寨 9lh№Ih_IaI oftlIe cor憎∞∞∞Nud皤EM啪Ics Pr∞删ngs 8LN嘴埘D乱∞l蜘他抽oIo甜 钨酸铅晶体的辐照损伤研究 李祖豪何景棠 吕雨生 朱国义 陈端保卞建国 (中国科学院高能物理研究所。北京，100039) 本文报道对日产钨瞳船晶体作低剂量辐厢损伤研究的宴验装置、宴验方法和实验结果．对四块稿酸钳矗 体作了辐照损仿的实验，发现光产瓤随辐席剂量呈现指教衰减·最后趋于定值． 关■调t光产瓤辐照损伤鹄酸铅晶体 1前言 欧洲校子研究中心CERN正在建造大型强子对擅机u{C，钨酸铅晶体(PbWo．简写 Pw0)将被工作在LHc上的蕊稿探测器初步选定为电氆量能器的探测晶体．由于U{c是一 个高流强的质子一质子对擅机，工作在LHc上的探测装置的元件必然要经受大剂量的辐照． 按蒙特卡罗模拟，cMs的电磁量能器的桶部剂量率约为o．2C；蚋．为了模拟真实的实验条件。 我们对国产Pw0晶体作了低剂量率(约o．2Gy／h)的辐照损伤研究．辐照源是利用计量科学 研究院的小型‘4co放射源．本文报道本实验的实验装置、实验方法和实验结果．我们测量辐照 前后光产薇的变化来表明辐照损伤效应． 2低剂量率辐照源 低剂量率辐照源是利用中国计量科学研究院的小型“co放射源．该放射源的强度在距源 时，均匀辐照场面积为13一×13∞，源强的精确度为l％，在辐照场内的均匀性为1％以内．源 强和均匀性是由计量科学研究院甩标准计量探测仪器测量的． 辐照源有气泵开关，可以通过气体推动使辐照源在管道内移动。需要辐照时将源推到辐照 位置．不需要辐照时将源推到储存位置． ． 3实验程序 在X和Y方向均用激光束对被辐照晶体的位置作定标，这样可以计算出晶体被辐照时的 辐照剂量． 实验室基本为恒温。辐照实验室有水银温度计监测温度．同时把Ptl00铂感沮元件贴子封 装晶体的黑盒子外面，以测量晶体附近的温度．结果发现工作时的温度变化都在o．5℃以内． 工作温度的中心值为19℃．在实验中记录各测量点的温度．在数据处理时对温度作光产氟输 出修正，修正值为一2％／℃． 辐照前用标准”Co放射源测量到的光产额作为被研究的Pbwo‘晶体的标准光产颧．然后 辐照2h，将辐照放射源放入储存位置，然后将光电倍坩管加上高压．等待20min使高压稳定， 297 用标准的*Co放射源测量PbwO。晶体．然后再降高压，将辐照源推到辐照位置，接着照射·一 直重复照射一测量，一般一块晶体照两个自夭一个晚上．白天每隔一到两小时测量一次·晚上 就让它一直照射，到第二天早上再测量． 4实验的数据获取以及 数据处理 钨酸铅晶体具有光衰减时间短、 抗辐照本领强的特点，所以它被初定 为CMs探浏器电磁量艋器的探浏晶 体．CMs探澍器的设计要求是钨酸 铅晶体辐照以后的光产额损失不能 大于5％，这筑要求我们做实验时的 田1失验装置田 误差必须小于2％，为此我们在实验仪器的选择和实验数据的处理上都做了仔细的研究． 钨酸铅晶体的发光成份一般有两到三个。其中一个是比较快的，另外的是慢成份·实验需 要的是晶体的快成份，我们必须去掉慢成份．保留快成份．这样就要求我们不能用成形放大器， J姬c·因为这样 因为成形放大器会改变渡形。使我们投法区分快慢成份．同时我们用cAMAc 可以用门，靠改变门的宽度来去掉慢戚份． 实验的装置图如图1． 要测的PbW0．晶体六面抛光，五面用聚四氟乙烯薄膜包裹．另一面用硅油耦合到 XP226纽光电倍增管上，滔量用的标准”co放射源放在晶体顶靖．晶体弦光并用聚四氟z．烯 薄膜包裹并且用硅油耦合都是为了有利于光的收集．使用ⅪP2262B是因为它的增益较大t这 样我们可以不用放大器而直接输出到光电倍增管． Pbwo．晶体上部15∞暴露于辐照场，而将