GaAs表面硫钝化Franz－Keldysh效应研究.pdfVIP

I GaAs表面露钝化的Fr钔z-Kedysh效应研究 廖友贵金鹏李乙钢郭儒张存洲潘士宏 南开大学物理系，天律。300071 粱基本 中田科学院半导体研究所，北京．100083 EffectofGaAsSurfaceChemicalPasslvatlon Frang-Keldysh by Li GuoRu西咖ChunzhouPanShihong Liao Peng YouguiJin Yigang of l_hliversity．TtemJin．300071 DepartmentPhysics。Nankat Liang Jiben of of InstituteSellconductors．ChineseAcademySclence写Beijing，100083 砷化镓(GaAs)凭借其高电子迁移率、高饱和漂移速率等卓越特性。被广泛地用于制造高速半导体器 件，但是对于Gds及其它m—V族化舍钫半导体表面和界面，由于缺陷和氧化钫的存在．形成很高的表面 和界面态密度，钉扎了费米能级．限制了以G“s为代表的m—V族化台物半导体器件的发展．自从1987年 以来，有关GaAs等m—V族化台物半导体表面的硫钝化技术得到不断发展和改进．但是已有的硫钝化方法 都存在其不稳定性的问题．钝化层易被氧腐蚀而导致钝化失效． 本文对利用VcnHoof等设计方法制备的表面一本征一重掺杂(ri—n+)结构。用光调制反射谱观察到了大 TC,oAs表面硫钝化前后的表面电场和表面费米能级钉扎点的变化规律．估计了表面态密度．并且进一步 研究了硫钝化的物理和化学机制．为寻求更好的钝化方法提出了自己的看法． 在光调制反射谱(陬)实验中，在临界点的高能端常常出现一组欢级振荡，即FKO振荡．FKO振荡的极 J 大值可以由下式给出：【2 玎墅墨n妒：。‘ (1) ^一 3L J 式中E。为能隙宽度。叩是与电子一空穴相互作用等因素有关的相位因子，n为整数．表示FKo振荡中的第n 个极大值．E。是第n个极大值的光子能置．参数Jle定义为： (2) (^日y=·’，16／1／2u Jie是FKO效应的重空穴跃迁的特征能量(光电能量)，表征电场的大小．可以用实验数据拟合 但．一曰。)．×一H图·应该是一条直线·我们从圈中的斜率可以求出^0·再把，le代入(2)式求得电场强度P 的值． 以往的FKO理论过于简单．它忽略了一个极大地影响电场测量酶因繁_即冼优效应．在PR实验中，光 强眈严重地影响测量，减少电场的值．引人了剜量误差．当光照在样品上时，则产生了表面光压Vs·实 rdl 际测置的势垒高度就是vF与V。之差”1．即 vb2vF．vs (3) vF是表示费米能级．Vb衰示势垒高度·而表面势垒高度vb与电场F的关系可以由FKo导出： 4-SCC “) Ⅵ=Fd4-kT／c 其中，d是本征半导体层的厚度．kT／e是因热激发竣流子所致的电势．SCC是空问电荷区的惨正项．