SiOX(X%3dC、N、O、F、Si、P、S、Cl)体系DFT研究.pdfVIP

的DFT研究 靳菲 陶占良刘永东孙仁安 (辽宁师范大学化学系．大连，116029) si0的化台物一直是矿物学家和地球化学丁=作者所感兴趣的对象。近几年来，由 于它更多的应用到了半导体工业上，从而引起了从事实验和理论研究的工作人员的关 注。与羰基化合物的研究相比较【1“】，无论在实验还是理论上对SJO的化合物研究都很 少。本文在对siOX(X：Li、Be、B、Na、Mg、A1)体系理论研究H·的基础上，继续对 究。着重探讨了其几何结构及化学键的变化规律。全部计算均在SGI工作站上完成。 结果与讨论 非金属x与siO的键台相似于金属M与SiO的键合：x既可与si又可与0直接键 台，这不同于羰基化台物的键合方式。表L列出了SiOX(X=C、N、0、F、Si、c1)的体 系优化后的几何构型参数Rs】0、R、《、a。。、％。一。和SiOX体系的总能量E及其相对 SiO+X的解离能De。图l列出了siox各体系优化后的各种稳定构型(其频率全为正 值)，且都以构型I为最稳定构型。 对第二周期元素形成的sjox体系，除SiOF外，都有三种稳定构型：一种折线构型 中心的直线形s卜0键长最短，如SiOC中构型II R。=I．52l最短：si0N中构型II 构型虽大为0454。所以说这三种构型中的Si-O键都以si为中心的直线构型中的键最 强。研究三个体系中的最稳定构型会发现，从C到0随核电荷数的增大，其Si-O和Si— x间键长都逐渐减小，这可能与其电负性的增强规律有关。但SiOF只有折线形和以0 为中心的直线形两种构型。SiOF体系没有以si为中心的直线型构型。及其不遵循第二 周期其它体系的变化规律的原因，尚不清楚，有特进一步探讨。 当x为第三周期元素时，SiOSi和SiOS体系都只有两种稳定构型，一种是折线构 型，另一种是以0为中心的直线构型。SlOP、Siocl都有三种稳定构型，其中SlOP有一 种折线构型；两种分别以si和0为中心的直线构型，但对于siocl体系来说有两种折 线构型，一种以0为中心的直线形。除SiOP体系外，其余体系从s卜0问的键长及其 体系的构型II是较特殊的唯一以x为中心的构型，可看作是c1插入Si一0之间．而si- 0间距离较大，可看作没有键连。从其相对较高的体系的总能量和其相对SiO和cl体系 的为负值的解离能来看，这种构型是个很不稳定的构型。 从各体系SiOX相对Si0和x体系的解离能可看出，都是以“折线形”构型的解离 能最人，也就是说都以“折线形”的Si—x键或O-X键最稳定。 ．1007． 墨! 匹垡些兰i坚I三兰：婪：璺：!：坠：呈：曼：旦2苎墨鲤!邀 u) E{a R¨山 R¨lf^)a。小、(。)啦…(。) S[-9闻电子Si—x间电子De{kcaI．mI-) S{(】c= 1 957 ”0fi2 l 842 伸o 0 140 3 135 {)IIq() SiU、 】7,57 0 124 I 646 c)4I{ (一一(( 2 u1S ()e)82 I 512 54 1)4 I 667 m两吣m％o 13 IjC) 2879