Zn0-V2O5系低烧压敏电阻材料探究.pdfVIP

A，sill譬竽 ‰_C2。=妻t=O 易 芈 盟 堕出 z=， 厅一2仉 ，≠， 所以， 所以，，=吾【(clo—c：o学=——-j鬲dx=_4(CLo-C20)丽1 代入(5)式得 2Dt) (6) c∽f)-c扩飘吲喜嘉Sin半eXp(-2 如果缺陷能电离，则材料的电导率与缺陷浓度成比例，并且在相同的温度下，比例系数相同，这 样从上式可以得lⅡ样品内电导率0(x，t)为 (7) 式中o。。为气分压P。时样品的电导率，0。。为气分压P：时样品的表面电导率，也是平衡后整 个样品的电导率．实际测量时，测得的为整个样品的平均电导率，其定义为 一 M 盯(f)。古j：盯(x，t)dx 将(7)式代入，得 翻砜+砉@。嘞)赫ex4-半Dj 这就是任意时刻的电导率与扩散系数的关系式．为进一步简化，引进 跨 卫矿 。∑Ⅻ 奇唧 学叫 (9) 当t足够大时，上式进一步简化为 ‘ 盯 一仃 万‘ h 警a暑唧(一罂)(10)IO 20 或者·s[鬻卜灯 …， lg[8(t)-‘r20] 其中b=lg(8／Ⅱ2)，k≈z3ⅡZD／h2。显然，在半对数坐标下盯】0一仃20与t成线形关 n 系，斜率为k=2．3 2D／h2。由此，求得直线斜率并测出样品厚度便可算出扩散系数D。 4．结果讨论 如果在气分压由P。突变到P2的同时开始测量样品的平均电导率o(t)，则由(8)式知， 测量刚开始时，t—O，o(t)=o10：当第二次平衡，t—o。则o(t)=o 2。。这是合理的，并 与实测结果不符。对于所讨论问题，应按本文(1I)式关系求取D。 5．结论 对于薄片状样品中的可电离缺陷，使相关气氛从P：突变至巳，测出样品的平均电导率 o(t)，作出lg[(o(t)一o 20)／(010--02。)]一t曲线，长时间后曲线趋向直线，求出其 斜率k，则该缺陷的扩散系数D=Kh。／2．3Ⅱ2。 参考文献 l周东祥，张绪礼，李标荣．半导体陶瓷及应用．武汉：华中理工大学出版社，1991，44—55 ZnO—V205系低烧压敏电阻材料研究 付明 周东祥 杨军 华中理工大学电子科学与技术系 武汉430074 摘要：研究了V205含量对ZnO—V205系压敏电阻微观结构和电，l#-能的影响，通过过渡金 属氧化物掺杂制得了性能较好的ZnO-V：05多组元压敏电阻器． 关键词：ZnO—v205系压敏电阻 微观结构 电性能 1．引言 ZnO压敏电阻器由于具有优良的电压一电流非线性特性、较高的。系数以及较大 的耐电流冲击能力而广泛应用于电力系统的浪涌吸收和电子线路的过压保护等。传统 的ZnO压敏电阻器是以ZnO为主要原料，并加入少量的Bi：0。和一些过渡金属氧化物 而制成的，这种材料烧成温度较高，为1280℃一1350℃。Bi 20。在配方中不仅作压敏电 阻形成剂，也起助烧作用。压敏效应形成剂一般为原子直径较大的重金属离子，如 Bi 剂…。由于V205的熔点比Bi203低得多，为690℃，因此ZnO—V20。系压敏电阻的烧结 温度比较低，V20。不仅影响压敏电阻的烧结致密度，也影响压敏电阻的微观结构和电