层状钙钛矿铁电薄膜层错结构研究.pdfVIP

电子置擞学报 J．chin．Eknr．M证r∞c．soc 10(4)_465～46B2000年 层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究 朱信华 洪建明 李爱东 朱健民 昊 迪 周舜华 李 齐 刘治国 闲乃本 (南京大学撕理糸田休●t螬构田末t点实验室，南京210093) 由于羲毫尊膜具有工作电压憾、读写造度快器较好的耐久性辱怩赢，在攀■失存储嚣 羲电●囊麓辩癯由于该摹材辩存在严重构曩冀曩●．■一萁在豫AM嚣伟土的皮舞．嚣年来， ■系晨赣螺瓤妒镶毂船赣电暮■材鞋在FRAM嚣臀中盼应用与丑健增．Sf琢T^toN龋踞)妖电 尊囊作为麓薯晨蕞螺鳖矿螭构材料舳代裹，它具考优良的耐囊劳特性(椒化反转农藏蠢达10” 次)和较静畸慑持力特性，成为崩鲁m认M嚣侔的首选材辩…．量拣人们对SBT羲毫尊囊的翻 t，、，iI，iSfl^；}l}k 誊工艺、电学性蕾及光学性能进行了大量的研究，但宥美其映陷及豢结构封赣电性■的影确报道 非常少．吏薯簟器量由于其结构比较复杂，难于在屎子R虞上对其墙杓赣路进行衰征．奉文利用 明谈屡●鼍盘基重于c轴多余∞Bi—O雨籀人屡橱戚，它来矗于尊簇中过量豹氯化■．奉文还讨 论了层●对S8T俄电尊胰性蕾及耐疲劳特性螅影响． ， sBT扶电纛一．■犀为33Dm，村底疆度为幅0℃．有关■鲁工艺详见文献[2]。采用 RT6000Hvs赣电挂蕾综合蠢试仪测量薄■韵电膏匿缱和曩劳特性．利用标准的电t样品制鲁 方毪，曩巍■藏尊、膏子薄化褥翻可供磊舅的电■样晶．层■螭转的曩嗣摩J童DL，EM一40∞EX 直★分瓣电t上进行，工作电压400l【V。 不翔●过量的sBT铰电膏膜电性能及囊劳特性■试结果表啊，当*过量10mol“时，薄膜 的饿电性冀曩佳嘲。SBT铁电尊膜的优是靛电性能与其t麓餐梅特征击切相关。为了更好地分 析馁电幢■．■有盛蔓研究其t理培构．墨1培出了精[110]带轴方向．SBT馈电鼙一矗啦的高 分辨t．鼠羹牵可以看出措c轴[001]方向，sBT甓电■■量寰层址培构，■格参敷为2．sonm， 这与中予衍射及x甜筑衍射的结果相一致．在sBl‘■囊中，铸鬟屡(B“O。)”和共钙蚀矿赣电层 (srT·，o，)t_潦Ct交警捧抛，形成屡状鳙鞠．糖邻馅辗层之阃存在一十sr一1’a一0钙■矿层．由 一■龋糟骞毋并●韵村度差异和沿c轴月蠢性蜃状培掬t可发现谖^粒中存在层■簟柯缺陷， 如冒中蕾头标注所示．根据sBT晶体结构的中子衍射培构’数及从里中获得不同盒■膏子平霹 问的伺照，可认为薯屡糖是由多余铬氧层蕊插人层构成，它束曩于蔫旗中过量的氯化铬。价惜毽 论计算结果表明在sBT中，Bi”^子在Bi—0层中呈理弱束缚状态，离子位移较大，对SBT材料 的自发摄化强度P．贡献最大。与正常调翻结构中的Bi—O面相比，层错处的Bi—o面中的Bi”膏 子具有更高的结构活性，能够有效地弛豫层状结构中的应力及补偿空问电荷，提高SBl’长电薄 膜的耐疲劳特性。虽然层错在sBT薄膜中所占的体积百分数相对较少，但它的存在有利于改善 暮■的耐疲劳特性。 缘上所连，幸文利用高分辨电子显徽术研究了SBT铁电■膜滑c轴方向的嫱转一■特征， 观寨劐垂直于c轴由多余Bi．O面插人层构成的屡簟结构奠陷．破层繁的存毒蠢捌予藏●S职 f ， ； ． ， 。．-，’ L————一—1并·≮—卫五—蛩釜盖—’- }j薹 ÷’+一1； j《 电子显氆学报 J·Ch抽·EI∞‘r·Micmsc·S0c—