A1GaInP超高亮度发光管P面欧姆接触地研究.pdfVIP

复查旦全旦垒§Q堑些婴过垒皇堂查盒丝迨塞塞 ． AIGalnP超高亮度发光管P面欧姆接触的研究 李胜瑞张万生 电‘子工业部第十三研究所石家庄05005I 1．引言 随着可见光发光管(LED)应用领域的扩大，近年来人们对提高超高亮度LED的性能 越来越重视，要提高其发光强度，除改进外延材料和封装结构外，制作芯片的工艺技术 至关重要，而p面欧姆接触是其中的关键技术之一。它直接影响着器件正向电压的大 小，即光电转换效率的高低。p面欧姆接触电阻不仅要小。而且均匀性要好，对大屏幕 显示应用尤为重要。P面欧姆接触]二艺的重复性还必须满足大规模批量生产的要求。 验结果，结合大规模批跫生产的工艺重复性和均匀性的要求，对这些试验结果进行了讨 论。 2．P面欧姆接触的形成及检验 (1)形成：AIGalnP超高亮度发光管的P面顶层随着器件的不同结构由高掺杂的GaP、 GaAs或AIGaAs，b延生长而成，均属于隧道穿透型的欧姆接触。作为接触的金属与P面顶 层表商，通过合金化相互作用，在接触金属下面形成一个高掺杂的再生长层，由于载流 予耗尽层很薄，载流予以隧道效应在金属和顶层表面之问的势垒进行输送，从而形成欧 姆接触。用于AlOalnP超高亮度发光管P面欧姆接触的合金主要有以下金属元素组成： ‘ ①掺杂金属：用于形成载流子的隧道穿透输运，一般采用Be、zn、等。 ②覆盖金属：用于引线键合，一般采用Au、Ag等稀贵金属元素，考虑至可靠性，采 用Au较为普遍。 ③黏附金属：用于增强金属与顶层表面的黏附性，使键合引线不易脱落，一般采用 Cr、Ni等。 (2)检验： ①定性检验；用二=探针测试两个P电极问的电阻，图示仪上的v．I特性曲线显现为一条 没有拐点的直线，此时则表明己形成良好的欧姆接触。如果V．1特性曲线的起始部位出 现拐点，则表明尚有势垒存在，没有形成合格的欧姆接触。在生产过程中一般只用这种 方法进行1=艺检验。 ②定量检验j用四探针法测量欧姆接触电阻率。结果见表】， 3．试验结果 Au的成膜，采用电子束加热的真空镀膜方法。成膜后选择台适的合金条件，使顶层金属 化a最后蒸镀较厚的Au膜作为覆盖金属，用于键合引线，并试其牢度。采用Ni作为黏附 一30 第六届全国LED行业研讨会与学术会议论文集 金属。对不同合金系统的欧姆接触特性和键合引线牢度进行比较。 (2)结果：试验结果如表1所示。 表l不同台金系统的欧姆接触和键合引线牢度的比较 掺杂浓度 欧姆接触 欧姆接触 引线键合 P面顶层材料 合金系统 (cm-3) 特性 电阻率 牢度 (0-c1112) AuZn{h ≥5×10” 好 6×10-5 好 GaAs AuBe／Au ≥5×1017 好 3X1旷6 不好 Ti／Pt／Au ≤1×109 不好 好 9×101 ≥5×109 好 好 GaAIAsAuZn／Au ≥5×1017 好 7X10^‘ 好 AuZn／Au ≤l×1017 不好 好 6×i0-5