UHV／CVD生长Si+1-xGe+x／Si合金锗偏聚地研究-.pdfVIP

—盖立_L缱量堡整墓芏叠金墼垒墨盘 ! 锗偏聚的研究‘ 黄靖云陈伟华亓震卢焕明赵炳辉叶志镇阙端麟 f浙江大学硅材料重点实验室杭州310027) 摘要；本文利用超高真空化学气相沉积系统(uHv／cVD)生长了锗硅外延层。利用二次离子 质量谱仪(SIMs)对外延层中锗的偏聚进行了研究。初步建立了应力应变型锗偏聚的数学模 型． 一、引盲 在锗硅异质结构中锗在外延方向上的偏聚，即分布的不均匀，会导致材料的电学性质 和光学性质发生变化．进而影响器件的工作。目前已有许多学者研究了锗的偏聚阶【61，但 研究的主要是MBE生长的外延层或者主要是锗硅外延层的表面，次表面的偏聚。我们认为 CVD生长的外延层中，在锗组分变化的层与层之间，也会出现锗偏聚，而且这种锗偏聚对 金中锗的偏聚现象． 二、实验及测试 二次离子质量谱仪(SIMS)是成分偏聚研究的重要手段之一。它是由能量为几千伏 至几十千伏的离子束溅射材料，通过四极质谱仪分析溅射出的二次离子成分，获得材料某 加速电压4．5Kv． 我们选取4#和9#两个样品进行SIMS测试。两个样品均是由超高真空化学气相沉 为620℃。衬底硅片采用改进的RCA清洗方法川，结合改进的衬底原位处理技术处理。其 他生长参数见表1． 三、结果及分析 测试结果见图1和图2。由图l可见在30s(指溅射时闻，下同)处的硅帽一锗硅界面处 本课越得剑国家目然科学基金重大项百，窗家自然科学基盘，教育韶”跨世纪优秀人彳。基盘等资助． —旦———————————～——一 釜壶壁垒璺垦堡莲壁茔垄金丛盈墨基 硅缓冲层界面处出现锗偏聚，在200s时硅帽与锗硅外延层界面处出现锗偏聚。 我们认为上述锗偏聚是由于界面处应力造成溶质原子分布的不均匀。它可分为两神 表1：样品生长参数 硅烷(seem) 锗烷(scorn) 生长时间(min) 4撑 30 7 60 30 0 20(硅帽层) 30 0 20(硅缓冲层) 9群 30，30 7，0 5，5×20 30 0 20(硅帽层) Jl■一■ Tjmefsecond) Ⅵme(secon田 图1：4#样品的SIMS测试结果 图2：9#样品的sJMS测试结果 一种是应力生长型锗偏聚，一种是应力迁移型锗偏聚。前耆是在生长时由于应力应变而实 时产生的；后者是在一定条件下(如一定时间的保温)通过原子的蒋分布迁移造成的。两 者推动力的成因是相同的，但后者必须在一定条件下才可以生成。 现在，我们将在实验中观察到的锗偏聚按上述原则分类，如表2所示，并作讨论如下。 图1出现了锗硅外延层一硅衬底之间的应力生长型锗偏聚，图2出现锗外延层．硅缓冲层 界面处的锗偏聚。它们主要是由于外延层与硅基底之间存在有2％左右的应变，造成锗溶入 晶格困难。开始时锗原予和锗与氢组成的原子团被吸附于硅表面，仅有少数锗原子溶入到 ‘L．§这墨垒旦鱼堡整壁鲎垄金熟熊塞筮 ! 外延层之中。随着时间的增长，锗原子和锗与氢组成的原子团越来越多，它们之间就有可 能团聚在一起，形成富锗的小集团。在这之后，由于硅表面已形成一类似线性渐变缓冲层 的薄层，应变得到一定的缓解，锗开始正常溶入晶格，锗的含量下降。 表2：锗偏聚分类 应