Zn：ce：LiNbO+3晶体的生长和全息性能的研究-.pdfVIP

zn：Ce：LiNbO。晶体的生长及全息性能的研究’ 5 杨春晖王锐王继扬+ (哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨，150001) (+山东大学晶体材料国家重点实验室，济南，250100) l Cel LiNb03 摘要采用Czochralski法生长zn 2．8 Zn。ce：LiNbOs晶体的还原处理 晶体，测试晶体的指数增益系敷、衍射效率，实现了实 时关联存储。 ce离子存在两种价态，Ce3+(施主)和ce什(受主 或陷阱)．为了增加施主(Ce件)浓度进行还原处理，将 关键词zn：Ce：LiNbOa晶体全息存储衍射 效率 晶体切成IOXl0X 中进行还原处理，还原温度为500C，保温时间20h。 1引言 还原后晶体颜色变深，Ce4++e=Ce”。 光折变晶体全息存储的应用研究成为当前国际 3 Zn；Ce；LiNbO 3晶体性能测试 上研究的热点，掺杂LiNbOs晶体作为光折变全息存 t 3．1 Zn：Ce 储的首选晶体材料的主要理由是： LiNb03晶体指数增益系数的测试 (1)掺杂LiNbOs晶体在未做固定处理情况下，全 息记录保存的时间长(1个月以上)，在此时间内足可 光折变晶体指数增益系数是晶体在信息存储过 完成大数量的数据的写入．而其它光折变晶体只能保 程中，把强的泵浦光能量转移到信号光中的体现。较 存几分钟。 大的指数增益系数可以使信号光有较大的放大倍数， (2)易生长光学质量高的大尺寸的晶体。 信号光再现时变得更清晰，且有较大的位相共轭反射 (3)容易进行全息记录的热固定处理．处理后可保率和衍射效率。所以指数增益系数是衡量光折变晶体 光折变效应的重要的指标之一。 存二十年以上。Fe；LiNbO，晶体作为光存储材料， 获得了好的结果“。]，但其易产生光感应“扇形”噪音 (1)指数增益系数计算公式 实验上测量二波耦合指数增益系数表达式为 光散时，对光折变器件输出的图象或数据产生严重的 畸变伽。 r一{_，。f驿1。{_·。f￥1 L 、～衄， L l～， 对掺杂znCeLiNbOs晶体既有优良的光折 式中I-’与1z7是两束光之间存在耦合时的透射信号光 变存储特性，又具有无扇形噪音光散射和响应速度快 强，It与Iz分别是没有耦合的相应的光强。式中的