MEMS单片集成新方法和多孔硅牺牲层技术的研究.pdfVIP

MEMS单片集成新方法及多子L硅牺牲层技术的研究 王晓红，刘理天，李志坚，涂相征+ 清华大学微电子学研究所，北京，100084 摘要传统的封闭式MEMS器件制造方式，使得与标准Ic工艺兼容的单片集成较为困难。本 文提出一种新的MEMS单片集成方法一后微机械开放式制造方式，即先做集成电路和敏感元 件．利用相应的电路保护技术保护电路，再利用基于微机械的多孔硅牺牲层技术进行微机械 加工，实现MEMS器件的最佳集成。并对多孔硅牺牲层工艺进行了研究。 关键词MEMS集成，多孔硅，牺牲屠，Ic保护 o 、， 一、引言 80年代后刘微机械技术的迅速发展，使得硅微传感器的研究获得了极大的成功。应用方 面也取得了较大发展，己从原来的航空、航天、军工、工业控制等领域扩展到医学、家电、 汽车等民用领域。随着应用范围的扩大，对传感器的要求也越来越高。目前，半导体微传感 器研究中亟待解决以下几个方面的问题：I)传感器测量范围的拓宽；2)传感器性能的提高， 一是完善传感器的结构和制作工艺，二是研究新机理、采用新材料、制作新结构等：3)实现 MEMS器件的单片集成，口前，集成器件的产品多数采取混合集成形式，单片集成的比例很 小。实现单片集成是实现MEMS器件智能化的关键，关系到系统集成的水平。 斟此，研究新的与标准IC工艺兼容的MEMS单片集成方法是非常有意义的。 二、最新MEMS单片集成方法的研究 1开放式MEMS制造方式 传统的MEMS器件制造方式是一种封闭式制造方式，即集成电路与微机械的制造不分 开，这就存在微机械工艺与标准IC工艺的兼容性问题。微机械常用工艺，如体硅腐蚀工艺与 标准的CMOS工艺就难于兼容，且双面对中工艺复杂，封装密度也受限制等；表面微机械加 工技术虽与CMOS工艺兼容，但由于牺牲层厚度只有几个微米，应变膜与衬底距离小，容易 粘附，另外．敏感膜由氮化硅或多晶硅材料构成，应力较大，力学、电学性能欠佳．且灵敏 度低等等。 ． 本文介绍一种新的MEMS器件研究策略，以9建立一种开放式制造方式(如图1所示)： 充分利用集成电路生产资源，建立后微机械技术。即先做集成电路和敏感元件，利用相应的 电路保护技术保护电路，再利用基于微机械的多孔硅牺牲层技术进行微机械加工，实现MEMS 器件的最佳集成。 开放式制造的优越性：1)MEMS器件研究与制造者免去了集成电路制造设备的巨额投 资；2)MEMS器件的制造可以采用昂新的集成电路制造技术和设备；3)MEMS传感器可以 实现与信号敏感及处理电路的晟佳集成。 图l开放式帕us制造方式 2l 在MEMS与电路集成过程中，IC保护是目前国际上尚未妥善解决的问题。利用PECVD 法可在较低的温度下淀积出应力很低的SiC薄膜，此薄膜对于任何电解液，如HF，KOH等· 均具有优良的抗腐蚀性，与IC工艺兼容。可用于保护IC进行后续的微机械加工t从而解决 比较成熟【121。 2基于微机械的多孔硅技术p1¨1 多孔硅是50年代在对硅进行阳极氧化腐蚀抛光工艺中发现的．即将硅片置于HF溶液中 充当阳极，在较低的电流密度下，或者在较高的HF浓度下，就会发生电化学腐蚀，而生成 多孔硅，多孔硅制备的原理装置如图2所示。多孔硅的形成机理实质是半导体表面和HF溶 液之间的电荷交换，电荷交换机理与硅注入的离子有关。早期的研究表明：P’型硅在任何注 入水平下．都可以腐蚀为多孔硅．而N．型硅，在没有光照的情况下，只有当离子注入水平达 到10”c一时．才有明显的多孔硅生成。 图2多孔硅制菩原理装置囝 自从多孔硅发现以来，人们对多孔硅的应用进行了大量的研究．进入90年代以来，人 们发现多孔硅在微机械加工技术中做牺牲层具有很大优势。通常作为牺牲层的材料为热SiO， 疑注入式磷酸盐玻璃(PSG，BSG．BPSG)，这些材料作牺牲层的厚度仅为几个微米，限制了 独立结构和衬底之间的距离，从而限制了许多微结构和微传感器的制作加工，而且独立结构 部分的材料只能是多晶硅或氮化硅，其力学性能和电学性能欠佳。