AlGaInP／GaAs+HBT器件的高温特性和失效机理的研究.pdfVIP

A1GalnP／GaksttBT器件的高温特性 及失效机理的研究 菜伟民雯杰顾伟东夏冠群 中国科学院上海冶金研究所上海200050 摘要：本文研究了A1。占札。Im。P／Ga舡异质结职投型晶体管(璐T)器件从室 温到6731(：的输出特性，发现器件的壹流电流增益从皇温戮B23K下降不到j溉， 并且有很好的线性．在673K时，器件发生失效．通过对失效器件的E—B结和pc 结的二极管特性及对基区欧姆电撮的二次离子质谱的分析，表明器件的失效原 因是由于萋极金属穿透基区使8《结短路造成． 一、引言 Gahs基的异质结双极型晶体管(}IBT)由于具有比Si同质结双极型晶体管更 优越的输运性质而广泛应用于高速固态电路(I)。多年来，人们对A16aAs／GaAs 和GalnP／GaAsHBT器件研究较多。最近，hlGalnP／GltAsHBT成为新的研究热点。 由于AlIG乱。。Im。。P／GaAs异质结系在所有与GaAs晶格匹配的III-V族化舍物半 导体中其有最大的价带不连续性(△)，因丽该系ItBT能在基区离掺杂的情况下有 效抑制基区空穴的反向注入电流，使器件有优良的高温高频性能，是一种很有前 景的微波功率器件。YOW等人(2)报导了工作温度在600K左右的AIGalnP／GaAs HBT籀件，在更高温度下器件发生失效。这与理论计算的结果工作湿度可在1000K 以上有明显的差距(3)。通过对器件高温性能的测量和对失效器件的二极管特性 的分析，认为器件失效的原因是基极欧姆接触金属穿透基区使Bq结短路，并为 二次离子质谱分析(sIMS)的结果所证实。本文的结果将指导遁过改善器伴欧姆接 触的热稳定性来制作能工作于更高温度的AIGalnP／GBAsHBT器件。 二、器件翩作与测试方法 实验所用的A1”G舢∞Ifl0．毋／G8As HBT材料由低压MocvD方法生长，其材料 结构和参数可参阅文献(2)中的表I。器伴制作采用双台面结构，用选择性湿法 腐蚀刻出发射极台面，腐蚀液选用3池Pq：1 Hcl，发射极面积为lOOxlOOim2， 基极面积140x140心并包围发射极，与发射极的间距为lo啤。通过池刻、蒸金 和剥离形成金属电极，发射极和集电极采用AuGeNi(60nm)／Au(IOOam)，基极采用 Cr(50hm)／Au(100nm)。只合金化一次，合金条件为温度693K，时间20秒。 划片后的器件粘贴热压在有金属电极的高阻硅片上，保证在高温测量时器 件能与硅片很快达到热平衡，通过热电偶测量硅片温度来获得器件温度。高温测 量在遏有氮气保护的快速退火炉中进行。升洹时间和速度可由程序控制。从硅片 上引出三个电极到HP4145B晶体管参数分析仪进行电学潮蠹。SIMS分析使用 CaⅢecaIMS一3F系统，初级离子束为伤+，能量8keV。扫描柬斑面积为100×l∞“m2。 兰、结果与分析 我们首先测量了嚣件从室温到623K下的喜流输出性能。如图1所示，在室 温下器件的电流增益p=20．5，随着温度的升高，p先升后降，到623K时妒19．2。 在空穴反向注入电流是影响电流增益的主要因素时，pexp(aF．,／kT)。p随温度升 高雨增大表明空穴反向注入电流不是主要因素，可能有两个原因：1)E-8异质结 不是完全渐变的，存在导带势垒，温度升高有利子电子的隧道穿透；2)由于纂区 高掺杂，注入电子的复台主要在基区进行，菜些复合机制如辐射复合的复会速率 的温度系数为负。当温度继续升高时，空穴反向注入电流逐渐占据优势，但对 AlG以nP／GaAs H研，由于其E-B异质结中较大的厶Ev，温度升高造成的注入效率 的降低仍然是有限的，这就根容易理解图I中B随温度的升高丽降低很少。理论 计算预计AIGalnP／GaAsHBT在温度1000K以上仍应有较好的输出特性。图I的 结果表明由于AIGalnP／GaAsHBT能有效抑制基区空穴的反向注入，因丽有很好 的高温性能。 躅l