La、O-%27%2b-双注入硅基薄膜室温可见光致发光探究.pdfVIP

第6卷第4期 功能材料与器件学报 Vol6No．4 MATiEFdALsDEVICES D韩2000 OF AND 2000年i2月 JOURNALFUNCTIONAL 文章编号：1007—4252(2000)04—0361一04 La、O+双注入硅基薄膜室温可见光致发光研究 元美玲1， 曾宇昕2， 徐飞2， 王水凤1， 程国安2 (1．南昌大学物理系，南昌330047；2．南昌大学材料科学与工程系，南昌330047) 摘要：测量了用离子注入方法将La、O+双注入硅基样品在室温下的光致发光(PL) 谱，实验结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随 退火温度和注A顺序的不同而变化。用原予力显擞镜观察了币同条件下制奋的样品 的表面形貌，并对样品的发光机理作了初步探讨。 关键词：离子双注八；硅基薄膜发光；光致蓝案发光；表面彤貌 中囤分类号：0472+．3文献标识码：A 1引言 硅是微电子器件的主要材料，它具有其它半导体材料元可比拟的优越性，但是硅又是～种 问接带隙的半导体，发光效率极低，不能制造发光器件，如激光器、发光管等。为了获得高教可 见发光材料，人们进行了多方面的研究。近年来，多孔Sj、元素掺杂及Ge、si量子点薄膜在室 温下呈现较强可见发光的研究，引起了光电子领域的广泛关注o。：。稀土元素是一种很好的 发光材料，用离子注入的方法进行稀土掺杂已被越来越多的采用”o。目前，稀土掺杂硅的发 光研究主要是探讨掺Er硅的发光，稀土硅化物的研究也主要集中于结构和电学性能方面01。 对于其他掺稀土硅的光学性能研究则很少涉及，许多现象还有待深人探讨。本工作将La离 子、O+离子双注人单晶硅，研究掺杂层的光致发光特性。并探讨发光特性与形貌结构的相关 性。 2实验方法 采用n型(111)取向的抛光单晶硅片作为离子注入基体，单晶硅片电阻率为 45keV，注入剂量为5 两类．一类为先低能注入La，再高能注入0+；另一类为先高能注入O+，再低能注入L且。上述 F3010荧光光底计对上述样品进行室温光致发光谱测试。光源为150W氙灯，用该机的激 收稿日期：2000—07—17；修订El期：2000—08—30 基金项目：国家自然科学基金资助项目 作者简介：元美玲(1964一)，女，硕士．副教授． 功能材料与器件学报 6卷 一固定的角度人射到被测样品上，但需要选择适当的阶跃式透射滤色片“消除激发反射光进 入荧光单色仪的光栅所产生的二次光干扰，光致发光谱图和相关数据则由荧光单色仪，光电检 测与锁相放大及其信号显示系统，通过微处理器控制，在荧光屏上自动扫描显示并可打印出 来。该机对波长测量精度为2nrn。用原子力显微镜(AFM)观察了不同处理条件下样品La掺 杂层的徽细结构。 3结果与讨论 3．1 不同稀土元素对PL谱的影响 室温下，首先将注人能量为45keV，注人剂量是5×】0”cm。2的La、ce、Nd离子分别注^ 1000U退火后的样品，用250nto紫外光激发获得了如图1所示的光致发光谱。这几种稀土注 人层的发光谱都有相似的紫蓝发光带的多峰结构，其中h离子注人层的发光强度最强，其特 为最强，蓝光峰(460nm、480hm)较次之，但不同稀土掺杂PL谱发光峰位基本不变。 3．2 La、0+离子注入顺序对PL谱的影响 of withdiffellIentionim— 2PL the PL ofdiⅡ；renl Fig spectra samples earth—ion Fig．1 spectra implantalion c；