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超薄栅介质的制备研究 贾林，徐秋霞，钱鹤 中国科学院微电子中心 北京9819．42信箱，邮政编码：100029 摘要 栅介质的制备在整个CMOS工艺中是非常重要的。它的质量直接影响到器件的特性、 电学参数和可靠性。如何制备出可用于深亚微米器件的高质量的超薄橱介质，是本文研究 的重点。我们采用了改进的HFaPA溶液去除硅片表面的自然氧化层。结果表明，在使用 HF／IPA溶液处理过的硅片表面生长出的氧化层，与使用HF溶液参考样品比较，有较低的 固定电荷、缺陷密度和良好的界面特性。它的可靠性优于参考样品。在栅介质的制各方法 上，我们采用了使用N：O的两步过程制备氮化氧化层。与SiO：参考样品相比，N：O氮化 氧化的栅介质表现出更好的电学特性，包括高击穿电压、高Qbd值、低漏电流等。我们还 制备了不同注入剂量和退火条件的BF：注入P+多晶硅栅电容，测试结果表明氮化氧化样品 具有更强的防B穿通的能力。 背景介绍 传统CMOS器件的栅介质是SiO：，采用高温热生长技术制各。它具有致密、隔离性 好、固定电荷少等特点，是长沟和亚微米器件的理想播介质。当前，随着器件尺寸减小到 深亚微米，栅介质的厚度也随之减少，如果使用常规的热氧化方法，必须降低氧化温度， 减少时间。这样会导致氧化层中缺陷增多，致密性变差。另～方面，施加在器件上的电匿 未能等比例减少，使得深亚微米器件比以前承受更高的电场。在短沟道CMOS工艺中， 双栅工艺被广泛采用。使用P+栅可以将PMOS晶体管转化为表面沟器件。表面沟器件的 优点是可抑制短沟道效应，具有好的开关特性。一般通过BF2注入+快速热退火来形成 P+栅，然而F的存在会导致B穿过栅氧化层到达衬底，对器件造成不良的影响…。 为了制各出更高性能的栅介质，有必要对其制备工艺进行改进，。一种常用的方法是 在栅氧化层中加入N元素。本论文中，我们使用的氮化气体为N：O，在常规氧化炉中采 用两步氮化氧化工艺生长栅介质【21。这种方法的优点是与CMOS工艺完全兼容，具有较 低的热预算。通过改变生长条件，可以在很宽的厚度范围内制备出高质量的栅介质。 随着栅介质的厚度越来越薄，对硅片表面的质量要求变得越来越高。为了制各出高 质量的栅介质，先决条件是必须获得抑制自然氧化、表面平整度好和防止沾污的超洁净表 面。HF溶液可以产生低金属沾污的钝化硅表面，但它有较多的粒子沾污。为了解决这个 IsopropylAlcohol(IPA)，使用这种方案可以将粒子沾污的数目减少到与RCA清洗相当的 水平。 实验过程 为了比较清洗条件对氧化层质量的影响，我们分别用5％的I-IF溶液和0．5％+200ppm IPA溶液对清洗后的硅片进行处理，以去除表面氧化层。然后用热氧化方法生长出厚度为 332 36A的si如样品。氮化氧化层是在同一炉管中用两步工艺制备而成，其过程见图1。首先 在较低温度下进行氧化，然后保持同一温度进行一“退火”过程，此过程的目的是在升温 前吹净炉管中的氧气，防止升温过程中硅片氧化。第三步上升到合适温度进行氮化。最后 是退火过程。图2是900。C下氮化厚度和时间的关系。我们用此方法生长了37A和60A 两种厚度的氮化氧化样品，还生长了相同厚度的Si02作为参考样品。以上各种样品在形 成栅介质后制成Al栅电容。 为了比较氮化氧化层和si 02的防B穿通能力，我们分别制备了35A和60A两组样品， 之后经过多晶硅淀积、刻蚀，B巳注入和快速热退火形成P．多晶硅电容。BF2的注入剂量为 结果分析 图3．图5给出了各种样品的击穿特性。所用的测试图形为圆形，直径1509Ⅱ，测试 点50个。从图中可以看出，各种样品都有较高的击穿场强，分布较集中，基本无低场击 穿现象发生。对于36A的Si02膜，使用改进清洗方法处理过的样品的击穿场强要高于使 用HF溶液处理的样品。对于不同厚度的栅介质，氮化氧化层的击穿特性优于Si02膜。由 于非本征击穿是由栅介质内的针孔、缺陷引起的，实验结果表明，随着清洗条件的改进， 生长设各性能和所用气体纯度的提高，硅片表面和生长过程中引入的缺陷大大减少了。为 了反应栅介质长时间工作的可靠性，我们对其进行了时变击穿测试。在被测试样品上加一 了各种样品的q。值。可以看到，使用HF／IPA溶液处理过的样品具有