XPS研究溅射氩气压对玻璃基DyFeCo%2fAlN磁光记录薄膜成分影响.pdfVIP

Ⅺ陷研究溅射氢气乓对簿璃基DyVeCo／AIN 磁光记录薄膜成分的影响 赵青南1赵修建1王皋2熊锐3李佐宜3 (1．武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070； 2．中南正业大学分析中心长沙410083； 3．华中理工大学固电系武汉430074) ■一I甩x射线光电子能谱(xPs)研究了射轰磁控藏射法在玻璃基表面上制备 的D，F．}G∥A珊鬟光记采薄膜的表面成分奠溅射董气压的变化关系J结果表明： (1)在较裔的氨气压下，薄膜中Dv元素的成分比橱较高；睫着蕾气压的降低，薄膜 中D，元素的成分比例逐渐地减少，而．Fe和co元素的成分比啬l焉新增加；(2)在 麓纛畴蕾气压下，F也p、c02p的xPs高分辨谱中显示出截鞲晦振激峰，裹硬此时 己有步t曲罩昏co被氧化；而在低氧气j医下，Fe2p、e啦p曲xPS商分辨谱中没有 显示出振璇峰；(3)AJN保护层上除了N、^j组戚外．还存在太量瞬氯，部分AIN被 氯化成了A1203。 关■橱XPS Dy脚。磁光记录薄蕞表面成分A1N保护层 稀土-竞喇嗾盒羼的非晶垂直磁化膜艉为可攘写蠢光盘材料有棍多位点，它是且藏惟一 能满足蠢光记录介质所需各种要求的薄膜材料。从样品的性髓上来看，用TbF蛇。制备的 聋光尊曩较佳，雠它的价格比较昂贵。D丫眦。非龉膜与TbFeco薄威相比具有相近的居 里量度、硅光Kerr角和反射角，而且在价格上比TbFec0薄膜梗宜得多。因此，DyFeCo薄 膜作为麓光盘的记录介质引起了人们的楹『犬兴趣。稀土—过渡族金属的非晶垂直磁化膜在 空气中会莲渐氯化，使它的性能恶化。·般认为，瓤首先和奔士元素结食，当氧过剩时才和 过渡金属元素结台。为了提高薄膜自身的抗氯化能力，往往采取改变薄膜制备工艺条件的 方法，使墓的组成与结构有一个较好的匹配，并在膜上加保护层。XPS是一种表面分析技 术，它的有效信息深度大约在10rim左右，可以表征出薄膜表面的组成与离子状态。本文用 x射线光蓉子艟谱(xPs)方法研究了溅射功率、溅射时间和蠢射靶成分不变条件下，射频蕞 控藏射法在玻璃基上镧备的DyFeCo／A1N(保护层)磁光薄膜的表面成分及Fe和co元素的 氧化情况麓蕞射氲气压的关系，并对得到的结果进行了讨论。 1实验 1．1样品■鲁 玻璃基片采用化学法清洗。用射频磁控溅射法在清洁的玻璃基片上制备DyFeCo磁光 716 ， x10“Pa；(3)靶材成分： 薄膜，采用的工艺条件是：(1)溅射功率：300r／；2)本底真空：1．07 0．3Pa到1．2Pa变化，基片水冷。试样编号与溅射氯气压的对应关系见表l。AIN保护层的 制备条件为：溅射气压比P№：PAr=1：4，溅射时间：10rain。 毫1试撑■晕与■■■气压的对应差器 ■射量气ffⅣPal 1．2 l o．9 l 0．6 l 0．3 1．2圈隐黼 x 能电子能谱仪系统，激发源为Mgxn射线或AIKa射线，功率为200W，分析室真空为1．0 10．6P8。样品分析前用氩离子(Ar+5kV25．A)溅射30s，去除表面污染，用XPS分析AIN 保护层；然后再溅射15rain去除A1N保护层，分析DyFeCo磁光薄膜表面组成。 2结果与讨论 2．1 AIN保护曩的裹面组成 图1是试样A1N保护层的XPS全谱(用A1Ka射线作激发源)。从图1中可见，试样表 面除舍有A1、N元素外，还鸯有大量的O元素及少量的珊，没有出现Fe和co的信息；微量 的C来源于XPS仪的油扩散泵，Ar的信号是氲离子藏射时引入的。根据OIB高分辨谱的 拟合谱线可知(见图2中虚线)，氧以三种状态存在，对应的结合能峰值分别为530．00、 ^bO，和吸黯氧对应的Ols结合能；至于530．00eV对应的是鄢一种氯状态，还有待于进一 步考察，可能其中有一部分对应与Dy形成氯化物的Ols。表2是薄膜表面元素