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CAD激光制作电路图形研究(二)
——澈光沉积工艺
上海复旦大学化学.#王建麓袒洪法
上海复旦大学物理:系 旄伟方泣飞
摘要采用一种新的成膜精料,激光照射在Al:O,陶瓷上妄魂了仝{÷嚏速选择沉积。研完了镀层的组
成和蛄玛与嵌光强度(激光功丰密度、扫描速度)的差丰.以豆激光镀蛙竹岛处理工艺。结合微机控制,辟
到了电曩土盏、结台力奸的尘的电路圈彤.诚方法在硅电于竣苷加最法制造以及悖复中有一定的应用前景.
关翟词激光讲导化学沉积
前 言 结果与讨论
以寓笺为介质的微带电路及薄厚膜电路的设计 一、最罢影筢与沉积工艺参数的关系
和布线型量翦还采用传统的照相制版、蚀刻工艺t如 实壁蓦罴最日.引发热分解反应的激光功车密
何筒他二艺,降低成本一直是人们关心的问题.而田 度I荐毛一十或值,并随着激光扫描速度v.的增大
相激光落寻垒屠沉积技术可无需掩摸而在基板上实 而增大,暑驾l所示.一般情况下,I和Vs是影响
现金属豢区氕积,困而日莛引起人们的重视。 镀层质量韵两十重要因素.图z表示了金线形貌(包
固饪茸褒法激光直接布线由以下步骤组成:首 括金绽完主和厚度)随散光功率密度和扫描速度的
先在基匹老暑涂爱智金属他台物的薄膜t然后激光 变化关最.岩是专明.金线的宽度随着激光功率密度
柬扫描.毒t荨分的膜层分解成盘属,与基体结合在 的增大乏名夫.廷考扫描速度的增大而减小,呈较好
一起.:j}Xt控制可得舅薯嗣的金属图形;将来分 的缝!兰最。产量.壹缓的宽度均大于激光束聚焦光
解的膜兰三未·最后.使用化芋镀或电镀的方法使金 《直圣.三亏ZE三主的热分解叽理有关。在激光功
属层增孽.遮刘使用要求. 率密度轻毒或扫拦较慢时.由于激光强度呈高斯分
作鸯最丧的材料必须能够在基体表面形成单相 布,光露区中央涅皇最高。高温引发丁热分解过程中
均一膜三.蜉离温度低并且分解副产物尽可能完垒 剧烈的‘馔辱”曩象,甚至还会引起镀层金属的气化t
挥发.龟莘士中.我们经过多次尝试采用了一千申新的 郎困中嚣B篷河.
筒单的意琏对料,在冉瓷基板上实现了决逮局部沉 金爰的厚度与I和V.的关系比较复杂.在末完
积,我”:栗置化学镀和电镀的方法使链层增厚.最终 全分餐鹭笔甚内,照着基板表面光照区所吸收能量
得到了寻皂兰好、附着力高的金的电路图jf;. 的增t:(I增大或V.硪小),分解产生的金属也增
实验部分 多,田兰暮蔷增罩;但是,由于膜屡未完全分解产生
雾壁栗习】0WCW缸离子激光器.使用波}乇寿的金属辛冬质舍量高.田而与基体阅结合力差·容易
514·5m丑.毒瓷采用95%AI:O,陶瓷,除除油、粗化剥离。襄门鲁是希望曝光酃分的膜屡能够完全分解,
处理后,案覆成膜材料,红外灯下供干(70。c).成因此茬乏尊度苷最终取决于膜层的厚度.
膜捞料采用我们自翩的金的有机盘属化台物. 二、妻层髟兢
象覆韵冉瓷基板固定于二堆平台上,用微帆控 臣3为所得金钱的SEM照片。镀线规则,边缘
制激光辜聚焦扫描,激光功率密度o.3一1.5)(
10‘W/。丑2,扫描速度60lum/s一3ram/,,得到了金的于溅光蕊舟鐾反应存在一个。熔融一玲凝”过程,鱼
图移·壹瓮蕞经400|。C退止处理,采用化学镀铜、电腐结昌覃£产生信合,并与基板问具有良好的结台
镀垒健茬是增厚.
力.育矗}了骑努霹产生了气体.盘镀屡间形成许多微
垒幕晨用S—S01扫描电干显微镜,PHIE$ 砚孔皇.7三这可运过化学镀或电镀增厚镀层来悄踩.
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