P波段硅脉冲功率管可靠性探究.pdfVIP

P波段硅脉冲功率管可靠性研究 河北半导体研究所崔思录 邮编：050051 1．前言 P波段502型硅脉冲功率晶体管是根据96年4月国防科工委组织召开的“硅微波脉冲功 率管实用化攻关会议”精神，而研制的能达到工程实用化的军用电子器件。攻关的主要目 标是：用国产器件替代美国M／ACOM 件。要实现全面替代，包括器件外剞尺寸、电参数性能及阻抗特性均要实现直接互换，即 互换后不许改变电路，同时满足雷达整机高可靠要求。 冲功率晶体管。实用化攻关主要致力于可用性、可信性和可靠性的研究，即力求能用、好 用、耐用。攻关内容主要有三个方面： (1)器件性能一致性攻关，包括：a．减少器件的反向漏电流：b．减少器件带内增益波 动；c．解决管芯装配的一致性；d．解决内匹配阻抗一致性，以实现对进口器件的直接互 ’ 换性。 (2)器件可靠性技术攻关，包括：a．硅外延材料的控制技术；b．多引线键合及键台温 度控制技术：c．金属陶瓷管壳的气密性及可靠性技术id．管芯瞬态热分布测试及可靠性 判别技术。 (3)消除器件射频状态’p寄生频谱(杂波)攻关，包括：a．管芯结构及工艺优化试验；b 管壳结构及管芯装配的改进实验；c内匹配电路结构优化及监测试验。 2．主要技术指标 Z a工作频率f。：540～61 0 MH 宽带 b输出功率Po：120V／ 大功率 db c功率增益GP：≥8 高增益 d脉冲宽度P-：500u s 长脉冲 e占空比DF：15％ 商占空比 f转换效率rt。：52％ 高教率 g工作温度：一55℃～75℃ 宽温区 h和进口器件具有互换性 外部阻抗设计宽容度小 f按四所确定的企军标进行考核 高可靠 该任务具有九个较难的攻关指标，必须进行综合设计。 3．可靠性综合设计考虑 (1)版图设计 比值。 缩短发射极排列周期，减少EB间距，使得功率密度增人，芯片的散热必须充分重视。 采片j多单胞分割，芯片温度是指数F降。 }抗正反偏一：次击穿，是功率晶体管可靠性踺计的芙键。 防止硅外延材料不完整或]．艺过程引起的变异，采用集成分布式的镇流电阻能削弱产 生热斑和热逸敬效应。 ．∞． 防止反偏二次击穿主要靠集电极镇流，用分压环提高击穿电压。 }功率管射频输出功率主要受限丁二两个因素： a击穿电压和最大允许工作电流 bPN结的热时间常数 提高火电流下屯流均匀分布的能力主要靠减少人电流流径途径各点问的电势差。 u 功率管有源区面积大，中心部位和两边的散热环境不一样，一般10m差2C左右。 有源区设计原则：是等面积提高最大周长面积比，所以部是窄长结构、多单胞功率台：睨 (2)热设计 功率管PN结产生的热，决定于发射极一集电极结的电压降和流过它的电流乘积，硅器 件结温200C也能工作，但结温升高直接威胁可靠性，所以降低PN结耗散功率转换成的热 是至关重要的。 }版图设计优化 }硅材料要严格控制掺杂浓度、外延层厚度及大面积均匀性 }选择热阻低寄生参量小的金属一陶瓷微带管壳 (3)抗过激励及抗正反偏二次击穿耐量设计 常见功率管还没加到额定功率值就已经出现烧毁现象，主要原因是抗正反偏二次击穿 能力差，抗正反偏二次击穿耐量是可靠性设计不可缺少的。 十采用强镇流技术 {采用正温度系数的扩散电阻 {调整外延材料的浓度和厚度 $优化内匹配网络 (4)长寿命设计 器件的早期失效一般是材料缺陷和工艺缺陷造成的，而保证器件的长期可靠，则要减 弱器件使用过程中本身的物理化学变化，这是一个时问长退化慢的渐变过程。功率管的主 要失效模式之～，是电极金属的电