半导体器件无损筛选探究.pdfVIP

亵镡≯。o 半导体器件无损筛选研究 徐曦 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川成都市517信箱11分箱邮编610003 镄。．_k簟、一j《；iI，b硬。；遵一黛．， 摘要半导体器件的无损筛选不同于普通统计筛选．它通过少量器件辐照试验t 实现对未辐照器件按辐照性能进行筛选分类的目的．此技术可以筛选出辐射性能提高几 倍的器件． 对同拙450只3COIB型场效应管进行的无损筛选试验研究验证了此方法的可行性 和实用性．对随机抽取的26其样品．通过辐照翦器件信息参数测试和钴漾辐照后性能 参数测试．计算相关系数和信息系数，得到对单个器件适用的辐照性能变化预测公式． 实测值和预测值最大误差7％左右． 关键词： 无损筛选 半导体器件 抗辐射加固 商业器件筛选 1引言 半导体器件无损筛选技术所要解决的问题，是对将用在辐射环境中的半导体器 件进行适当的处理和测试，从器件辐照前的电性能和工艺及微观物理参数推测其在 辐照环境中的性能，也就是从器件的敏感参数绘出的信息推测器件在辐照环境中的 性能变化，进而实现不辐照就能对器件按辐射性能进行筛选。上述敏感参数称月信 息参数，表征器件辐射性能的参数称为辐射性能参数。 利用筛选方法有可能筛选出辐射性能提高一个数量级的器件。筛选方法不要求 从工艺上采取加固措旖，关键是要有大量同一工艺制造出来的器件，通过对从中随 机选取出一定数量样品的辐照试验，找出信息参数与辐射性能参数之间的函数关 系，进而实现对未辐照器件的筛选。 我们知道，即使同一生产线出来的产品的性能也不完全相同。正是这种分散性 导致其辐射性能存在差异，并遵从一定的统计分布。大量实验数据表明，元器件的 辐射性能参数，如失效电流增益h阶失效总剂量、失效注量等在辐射环境中的分 布～般服从正态分布或可转换为正态分布。以同一批数酉只器件作为母本，随机抽 取的子样的辐射性能参数统计分布与母本相同，从子样辐照试验中获取的函数关系 绦曦：半导体器件无授缔选研究 同样适用于母本。半导体器件的无损筛选数学基础就是基于正态分布条件下的多元 线性回归分析。 建立无损筛选回归方程工作分为：数据瓣盈、数据检验、参数选择和解方程． 需要测量的数据包括辐照前器件信息参数和辐照后辐射性能参数。对实验数据要检 验是否服从芷态分布，如不是的话则要先作适当的变换，此外要排除异常样本．计 算信息参数与辐射性能参数之间的相关系数，按相关程度从多个参数中确定回归方 程选用的信息参数。最后建立信息参数与辐射性能参数之间的线性回归方程。确定 回j聘系数．下面重点介绍无损筛选的数学基础和信息参数选择．给出场效应管无损 筛选应用实例，最后讨论无损筛选与可靠性筛选的差别问题。 2无损筛选原理 2．1无掼筛选的数学基础 random 将一批器件作为“抽样母体”，从中按照简单随机抽样(simple sampling) 原则抽取“随机子样”．此时子样的个体与母体具有相同的分布．对于离散型母体， 进行“有放回”的抽样。可以保证每次抽样相互独立。对子样进行回归分析，从子 样得到的概率结论可以推广到母体． 对于正态分布的子样，可以使用多元回归分析这样一种统计工具，在变餐之闻 建立统计关系，由几个变量来预测另一个正态变量。此时可以使用简单线性回归模 型； i=‘z…，／／ …………(I) Yi=Bo+0IxII+B2x。2+…+B。x洫+e。 其中： X是第i次试验中独立的正态变量观察值的取值； eo．§l一．．8。是参数； Xjl’…，XiⅢ是已知常数，为第i次试验中自变量的取值；