浮地型忆阻器混沌电路的分析与实现.pdfVIP

第35卷 第9期 仪 器 仪 表 学 报 Vo1．35No．9 2014年 9月 ChineseJournalofScientifiCInstrument Sep．2014 浮地型忆阻器混沌 电路的分析与实现 谭志平 ，曾以成 ，李志军 ，洪庆辉 (1．湘潭大学光电工程系 湘潭 411105；2．湘潭大学信息工程系 湘潭 411105) 摘 要：利用磁通控制的分段线性浮地型忆阻器，设计了一个新型四阶忆阻器混沌电路。分析系统的基本动力学行为，如平衡 点稳定性，李雅普诺夫指数和分岔图。数值仿真结果表明电路可产生一类特殊的混沌吸引子，且随系统参数的改变可产生丰富 复杂的混沌行为。为验证电路的混沌行为，采用基本电路元件设计了一个浮地型忆阻器模拟等效电路，并对所提忆阻器混沌电 路进行了实验验证，结果与理论分析基本吻合。 关键词 ：忆阻器 ；浮地 ；混沌 中图分类号：0415．5 TH867 ．7 文献标识码 ：A 国家标准学科分类代码：120．2010 Analysisand implementation ofafloatingmemristorchaoticcircuit TanZhiping，ZengYicheng，LiZhijun，HongQinghui (J．DepartmentofOptoelectronicEngineering，XiangtanUniversity，Xiangtan411105，China； 2．CollegeofInformationEngineering，XiangtanUniversity，Xiangtan411105，China) Abstract：A novelfour-ordermemristorchaoticcircuitispresentedinthispaper，whichutilizesaflux—controlledfloatingmemristorto actasthenonlinearelement．Thebasicdynamicpropertiesofthenew circuit，suchasequilibrium stability，Lyapunovexponentspec— trum andbifurcationdiagram areanalyzedwithuniversaldynamicsanalysismethod．Numericalsimulationresultsshowthatthecircuit canproduceaclassofspecial chaoticattractorsandexhibitscomplicatedchaoticbehaviorasthesystem parameterschange．Inorderto verifythechaoticbehaviorofthecircuit，theequivalentcircuitofthefloatingmemristorwasdesignedwithbasicelectriccomponentsand verifiedinexperiment．Theexperimentresultsareconsistentwiththeoreticalanalysisones． Keywords：memristor；floating；chaos 现了第一个忆阻器混沌系统 。2009年Muthuswamy等 1 引 言 人 “采用光滑模型忆阻器也完成了类似工作。随后 Bao Bocheng等人 ”对忆阻器混沌 电路做了进一步的研究， 2008年HP实验室实现了具有记忆特性的非线性电 利用光滑模型忆阻器实现了一系列新的类蔡氏忆阻器混 阻 ，从而证实了Chua。于 1971年提出的忆阻器相关