射频磁控溅射制备MoS2薄膜及其储锂性能研究.pdfVIP

第 30卷第 9期 无 机 化 学 学 报 Vo1．30No．9 2014年 9月 CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY 2043，2O48 射频磁控溅射制备MoS2薄膜及其储锂性能研究 王丽秀 魏 林 陶占良 陈 军 (南开大学先进能源材料化学教育部重点实验室，化学化工协 同创新中心，天津 300071) 摘要 ：采用射频磁控溅射法 ，在 Ar气．H2S混合气氛 中，以MoS靶材为原料 ，在泡沫铜基底上制备 了MoS：薄膜。利用 X射线衍 射(XRD1、Raman光谱 、扫描 电子显微镜(SEM1、能量弥散 X射线谱fEDS)等手段对样 品的结构、形貌和成分进行了表征，并探讨 了 靶功率和基底温度对 MoS，薄膜 的结构及形貌的影响 结果表 明．靶功率 的增加可 以提高薄膜结晶度 ．但功率过高会造成薄膜的 龟裂 ；基底温度升高会使 MoS，薄膜结晶度 明显提高，且形成蠕虫状形貌 靶功率为 80W ，基底温度为 300oC时，可以制备得到 具有较高结晶度 的蠕虫状 MoS，薄膜。对其进行充放电测试表 明．在 100mA．g-1的电流密度下，其首次放 电比容量为 980mAh· g～，经过 40周循环 ，容量可保持为约 920mAh·g-，容量保持率达到 93．9％。 关键词 ：MoS薄膜 ；射频磁控溅射 ；锂离子电池。 中图分类号：0613．51；TM912．9 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2104)09—2043—06 DoI：1O．11862／CJIC．2014．293 Lithium StoragePerformanceofMoS2ThinFilm sDepositedbyRF MagnetronSputtering WANG Li—Xiu WEILin TAOZhan—Liang CHENJun (KeyLaboratoryofAdvancedEnergyMaterialsChemistry-MinistryofEducation,CollbaorativeInnovationCenterofChemical ScienceandEngineering,NnakaiUniversity,Tinajin300071，China) Abstract：MoS2thinfilmsweredepositedonCufoamsubstratebyradio-frequency (RF)magnetronsputteringin Ar—H2Smixed atmosphere．XRD，SEM，EDSandRaman spectroscopywereusedtocharacterizethestructure， morphologyandcompositionoftheMoSzthinfilms．TheeffectsoftargetpowerandsubstratetemperatureonMoS2 thinfilmswerediscussed．Theresuhsshow thatthecrystallinityofMoS2thin filmswasimproved with the increasingoftargetpowerandsubstratetemperature，andthemoprhologychangeofMoS2thinfilmstoworm-like nanowires．W orm-likeMoS2thinfilmswithfinecrystallizationweresynthesizedunderthetargetpowerof80W and substratetemperatureof300℃ ．Theelectrochemical testresultsshow thattheinitialdischargespecific capacitiesofworm-likeMoS2thinfilmsreach980mAh·g一atthecurrentdensityof100mA ·g～．After40cycles， thedischargespecificcapacitiesw