含纳米硅薄膜发光的QCLC理论地研究.pdfVIP

第28卷 福 光 技 术 V01．28 2005年3月 OPTICALTECHNOLOGY FUJIAN March，2005 含纳米硅薄膜发光的QCLC理论的研究 林赏心 郭亨群 (福建华侨大学信息科学与工程学院。福建泉州 362011) 摘要 本文阐述了含纳米硅薄膜发光的QCLC模型机理，即光激发仍然发生在纳米硅粒子 内部，而辐射复合则发生在纳米硅粒子的表面或外部(氧化层)的发光中心上。探讨单 个纳米硅粒子的内外部复合过程中的电子占据率和纳米硅粒子系综的有效复合率。 关键词纳米硅；QCLC；复合过程 硅发光材料是实现微电子技术向光电子集成技术发展…1中一直是人们不懈追求的目标。 首次发现电化学阳极氧化多孔Si的强室温光致发光现象以来[2|，人们开始用纳米尺寸量子限 光中心等是实现硅基材料可见光发射[3】。但是，对于含纳米硅薄膜发光的理论模型有着很大的 争议。本文旨在对含纳米硅薄膜发光的量子限制一发光中心模型[quantum nescence 系综的有效复合率紫】 广——] 1 QCLC理论模型 鲥 如图1所示，我们假设有由Si02膜覆盖的Si纳 1．12 米晶粒，或者是薄a—Si层与Si02层形成的超品格或 l eV 量子阱。正如Varshni给出的，半导体的宽度与温度 之间的关系为： Eg=E。一aT2／(T+口) 对上式关于温度T求微分，则可得： nanosc_强leSl dEg／dT=一(0f+2a8)／(T+p)2 图1被sioz包围的纳米硅能级结构示意图 其中a和p为待定系数。如果如量子限制(QC)模型 解释的那样，辐射复合是发生在纳米硅内，则很难解释在不同的PS样品中，PL谱峰随温度的增 加而发生的红移，蓝移和钉扎现象。 于是，秦国刚等人在1993年提出量子限制一发光中心模型[quantum cence 由价带跃迁到导带中，由于二氧化硅的禁带宽度比Si大，因而能形成了有效的势阱结构，束缚 形成了电子一空穴对。由于Si纳米晶粒的存在，电子和空穴遂穿到纳米Si外的氧化层的距离 明显比普通的硅晶粒缩短，使得遂穿到外部的发光中心的概率大大增加。而后在纳米Si外氧 10 福 光 技 术 过对纳米Si晶粒电子结构的理论计算，很好地解释了表面由氧化钝化多孔硅量子点地光致发 缺陷。由于发光是在纳米硅的外部，因此可以通过改变外部的发光中心的特性。如引入缺陷中 心、等电子中心发光以及现在热门的掺入稀土元素发光，得到相应波长从红外到紫外的光。 2单个纳米硅粒子的内外部复合过程 如图2所示，我们用一个边长为L的正方体来模拟纳米硅粒子。纳米硅粒子外面是氧化 为了简化问题，我们将X，Y方向设为无限深势阱，z方向上电子和空穴的势阱分别为v怎和 V譬。对电子和空穴的量子态与能级的计算采用有效质量进行近似，则载流子的能级和波函数 分别为： Enl。112，113=E矗+E矗+E己 尘l(r)=彤。1．112。113(x，Y，z)=夺。l(X)巾|12(y)中n3(z) 粒与氧化层的缺陷中带有电荷时，缺陷中心的上下能级将分别向导带顶和价带底移动，此时两 0}。 者之间建立了所谓的内场[1 Z