典型CMOS存储器总剂量辐照效应的研究.pdfVIP

第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集 ——————————————————————————————————————————————————————————一。 典型CMOS存储器总剂量辐照效应研究 吾勤之陈植华王晨 (中国航天科技集团公司八院第八0八研究所，上海市永嘉路570号，200031) 摘要：本文通过改变存储器辐照时施加的偏置状态(动态检测或不加电)和不同剂量辐照后的退火条件，在 线测得EEPROM和FLASH ROM存储器逻辑状态翻转随总剂量和辐照后退火条件的变化关系；给出了不同集成 度SRAM和EEPROM存储器总剂量效应与集成度的关系；试验发现，EEPROM、FLASH ROM在不同剂量辐 照后，不同温度条件下退火出现了逻辑状态翻转异常现象的结果。这些结果对器件抗辐射加固评估技术研究有 重要价值。 关键词：总剂量效应，逻辑状态翻转，退火效应 存储器是计算机最主要的部件之一，随着大规模集成电路和存储技术的长足发展，半导体存 储器的集成度以每三年翻两番的速度在提高。从使用功能角度看，半导体存储器可以分为两大类： 断电后数据丢失的易失性存储器和断电后数据不丢失的非易失性存储器。 位)、62256(32Kx8位)、621024(64Kx8位)和EEPROM ROM 28C256(32Kx8位)和FLASH 结果；在线测得了SRAM、EEPROM和FLASHROM逻辑状态翻转随总剂量的变化；给出集成 和FLASH ROM存储器在不同退火温度条件下退火效应的结果。 1 试验程序 1．1试验样品 SRAM 28C16、 试样选用典型不同集成度的CMOS ROM 28C64、28C256和FIASH29C256存储器。 1．2辐照条件 y射线总剂量辐照试验在中科院新疆物理所60co Y射线点源上进行，剂量率为0．1Gy(Si)／s。 1．3偏置条件 辐照前存储器的每个字节写入数据“55”，即：“O”与“1”相互间隔。总剂量辐照时，试验样品 施加不同工作状态(动态监测状态：加电+SV，或冷备份状态：不加电)。用长线在线检测CMOS存 储器逻辑状态翻转(逻辑状态翻转错字为：ww)ww≠o(辐照)，统计出逻辑状态翻转单元及数量。 1．4辐照后退火试验 总剂量辐照后退火温度为：室温或70士50C。退火时间为：048小时。电路状态为动态检测 状态。在整个退火期间，实时读取数据，统计出逻辑状态翻转单元及数量。 弟八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集 —————————————————————————————————————————————————————一 2典型存储器总剂量辐照效应 采用研制的具有传输距离远、兼容性好、可靠性高的存储器动态辐照在线测量系统，测量了 60Co Y射线辐照引起大规模CMOS SRAM、EEPROM、和FLASH ROM存储器逻辑状态翻转ww≠0。 2．1不同集成度 图I、图2、分别绘出不同集成度的CMOS EEPROM、SRAM电路总剂量响应结果。试验发 现，6‘lCo-Y射线辐照累积剂量达到存储器开始出现逻辑状态翻转阈值后，随着辐照剂量的增加其 逻辑状态翻转速率将以指数形式猛增。 毡 橥 噼 刚