BST%2fMgO复合陶瓷的介电性能探究.pdfVIP

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2017-08-14 发布于安徽
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No．1 第30卷增I 压电与声光 SuppL 8L 2008年6月 PIEZOELECTECTRICSACOUSTOOPTICS Jun．2008 文章编号：1004—2474(2008)S1—0114—03 BST／MgO复合陶瓷的介电性能研究崔建东，王毅，董桂霞，杜军 (北京有色金属研究总院先进电子材料研究所，北京100088) 经450℃煅烧2 瓷。采用x-射线衍射法(x】m)研究粉末的物相结构．并用SEM观察陶瓷材料的显微形貌．研究结果表明，BsT／ Mgo两相复合陶瓷材料具有均匀、致密的微观结构。研究了陶瓷材料的介电性能随温度和频率变化的特性．材料的居里温度为--44℃．20℃、1kHz频率下材料的介电常数为102．7．介电损耗为9．46×10～．材料的介电强度为 36．1kV／咖．在8kV／mm直流偏压电场下．材料介电常数的可调率为30．02％(20℃，500Hz)．关键词：可词性，介电性能；钛酸锶钡；复合陶瓷中图分类号：TN384 文献标识码：A Dielectric of Ceramic PropertiesBST／MgO Composites CUI Yl，DONGGui-xia，DUJun Jian-dong．WrANG ElectronicMaterialsInstitute．GeneralResearchIrmdtuteforNon{e哪us 100088，China) (Advanced Metals．Beijing Solidreaction was tO were AbstractI process Bao．·St．．·TiQ(B钉)powders．BSTpowders employeaprepare coatedwith achelnicalsolution were method，andBST(40wt％)／MgO(60wt％)core-shell Mg(OH)2by powders calcined 2IL ceramic were traditionalceramic obtainedafter at450℃forBST／MgO compositespreparedby WaS theceramicsWaS of made diffraction(XRD)．Theof process．Thephaseanalysispowders byX-ray morphology observed fieldemission electron resultsshowedthat ceramic byusing scanning microscopy(SEM)．TheBST／MgO aredenseandvoids-free．thetwo distribute dielectric ofthecer