氮化物红色荧光粉的温度特性与劣化机理研究.pdfVIP

封装材料、封；||}技术和暑件 doi：lO．3969／j．issn．1003-353x．2010．之．022 氮化物红色荧光粉的温度特性及劣化机理研究 申颖，庄卫东，罗新宇，刘元红，何华强 (北京有色金属研究总院稀土材料国家工程研究中心有研稀土新材料股份有限公司，北京100088) 两种氮化物红粉在不同温度下被激发时发光强度均呈相近程度的下降趋势。另外将两种荧光粉进 行300℃热处理2h后，降至室温研究其劣化性质，发现C枷siM：Eu2+荧光粉的亮度维持较好， 关键词：LED；氮化物荧光粉；热稳定性；热劣化 中图分类号：0482．31文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2010)增刊．0086．03 Characteristics锄dThemal Mech铷瞳ismof T唧erature Degrad她on NitrideRed Ph嬲pho瑙 Shen Uu He YiIlg，Zhu锄gWeidoIlg，LuoⅪnyll，Yu肌hong，Huaqiang (舭I咖删踟扣l咖如蒯蛐加砌阳胁胁删＆，埘越 忍删饥I砌啦加Ⅳo咖粥M删G，讹m血‰【，删胁蹴哦出cD．，倒．， 咖曙100吣8，c^打m) red t啪血矗de Abs细act：’n屺te珥唧atI鹏clla碍c矧sti伪0fph嘴pllo玛㈣N3：E铲+aIldsr2si5N8：Eu2+for forbotll LED愀e枷ed，瞄pectively．，Ille嗍施加tlla￡龇PLiI蝴ty 0f岫呐面tride剃pllospl娜 妇袖tIle tIle inc撇0f岫咖咖．姚tllal，tlIe酬岫i∞0fph唧h∞哪 the w鹅foulldtllat h，it 删驴ted，碰盯siII洒Ilgphospllo玛砒300℃细2 PL C幽N3：酹+，wIlich 900diI炯lsit)，，h岫r酬舭0f keeps酹+‰地商dized． Keywords：LED；IIitride ch哪cteristic；tlIe册alde罢阳dali∞ ph∞ph凹；tenlpemtule EEACC：4200 可以被紫外光或蓝光有效激发，发射出590． 0 引言 680 nm的红光。这种荧光粉具有出色的热稳定性和 自1907年H．J．Round【1J在SiC半导体材料中观化学稳定性，且波长可调范围广，发光效率高，吸 测到发光现象，LED的发展已经有一百多年的历 引了越来越多的关注。 目前白光LED的封装大多数是将荧光粉和环 史【2-3J。近年来，InGaN基白光LED因其出色的发 光性质在照明世界中被广泛应用。传统的白光产生 氧树脂混合均匀直接涂敷在芯片上【4J。在荧光粉涂