选择性发射结太阳电池技术.pdfVIP

第 9卷第 3期 江 西 科 技 学 院 学 报 Vo1．9No．3 2014年 9月 JOURNALOFJIANGⅪ UNIVERSITYOFTECHNOLOGY September．2014 选择性发射结太阳电池技术 王国宁 ，蒋继富 ，胡俊涛_2 (1．江西科技学院 机械工程学院，江西 南昌 330098； 2．云南天达光伏科技股份有限公司，云南 昆明 650091) 摘 要 ：选择性发射结技术是实现高效晶体硅太阳电池 的主要技术之一。介绍 了选择性发射结的基本原理和优 点，并对各种选择性发射结太阳 电池技术进行归类 、对每个类型 的特 点进行分析 。另外还介绍选择性发射结太 阳电 池技术在 国内光伏企业中的产业化情况。 关冀词 ：选择性发射结 ；太 阳电池 ；产业化 中圈分类号：G741 文蚨标识码：A 文章|‘号：123(2014)03—0042—05 TechnologyofSelectiveEmitterSolarCells WANGGuo—nineJIANG五 。HUJun-Too。 (JJiangxiUniversityoftechnology，Nanchang330098,Chin~ 2YunnanTandaPhotovoltaicCo．Ltd,Kunming650091，China) AbstIa．Ot：Thetechnologyofselectiveemitterisoneofmaintechnologiesofhighefficiencycrystallinesiliconsolar cells．Thisarticlesuggeststhebasicprincipleandadvantageof selectiveemiue~ andclassifiestheselectiveemittersolar cells technoloyg，analyzes the characteristic of each type selective emitter technoloyg，introduces the progress of industrializationofselectiveemittersolra ceHstechnoloyg． K叼 words：selectiveemitter；solarceHs；industrialization 较低的产业化技术。在众多高效晶体硅太阳电池技 0 引言 术中，选择性发射结技术最先实现产业化。 目前普通单晶硅太阳电池生产线的平均转换效 1 选择性发射结太阳能 电池工艺技术原理 率已达到 19％以上接近 20％，普通多晶硅太阳能电 分析 池生产线的平均转换效率也在 18％以上。单、多硅太 阳能电池普通工艺继续往前发展将会遭遇到技术瓶 普通工艺制备出的晶体硅太阳能电池的结构如 颈。很多太阳能电池生产企业也意识到这一点，纷纷 图1所示，其包括P型层、N型层、背电极及正面金属 把 目光转向高效晶体硅太阳能电池工艺技术。国内 电极。当太阳能光在电池内部被吸收而产生形成发 外实验室就高效晶体硅太阳能电池技术已经进行了 电电流的电子时，电子会沿图1中所示的路径 1流 广泛而充分的研究 ，报道了很多实现高效晶体硅太 出电池。从路径 1可以看出电流会穿过正面金属栅 阳能电池的工艺技术路径 ，其中也包括选择性发射 线与N型层的交界面，还会在N型层发生横向运动。 结技术。新南威尔士大学的赵建华博士采用选择性 电流流经的区域都有一定的电阻，电流穿过正面金 发射结技术并结合其他技术，创造了单晶硅太阳能 属栅线与N型层的交界面所对应的电阻被称为前接 电池转换效率24．7％的最高记录。目前的主