纳米CeO2抛光料对硅晶片进行化学机械抛光地研究.pdfVIP

纳米CeO。抛光料对硅晶片进行化学机械抛光的研究——谭刚 纳米Ce02抛光料对硅晶片进行 化学机械抛光的研究 谭 刚 中国工程物理研究院电子工程研究所，绵阳，621900 摘要：通过自制纳米CeO。超细粉体，并配制成抛光液对硅片进行化学机械抛光，研究了纳米CeO：抛光料 对硅片的抛光效果，解释了纳米级抛光料的化学机械抛光原理。实验结果表明：由于纳米抛光料粒径小，切削深 度小，故材料去除采用塑性流动方式。使用纳米CeO：抛光料最终在1扯m的范围内达到了微观表面粗糙度Ra 为0．124nm的超光滑表面，满足了产品的要求。 关键词：纳米CeO：抛光料；化学机械抛光(CMP)；抛光机理；粗糙度 中图分类号：TB44 文章编号：1004—132X(2005)$1—0341一03 ontheCMPMechanismand ofSiliconWaferNano--sizedAbrasives Study Property by Ce02 Tan Gang InstitutionofElectronic of Engineering，ChineseAcademyEngineering of was andwas Abstract：Nano--powderCe02preparedbyhomogenousprecipitation into for ofsiliconwafer．The effectof slurrychemical——mechanical——polishingpolishing polishing nano—ceriumdioxidewasstudied。andthechemical—mechanicalmechanismwithnano— polishing the mode．The ofthenano——sizedabra— sizedabrasiveswasfurtherstudied contact by cuttingdepth siveswas smallandtheremovalofmaterialwascausedmeansofplastic lasta su— very by flowage．At within nano—— surfacewitha of0．124nmisobtained area per——smooth roughness 1／am polishedby sizedceriumdioxideanditssurfaceundulationiSinclinedtosmaller． words：nano--sizedceriumdioxideabrasive；chemical--mechanical Key ingmechanism；roughness 0 引言 质量直接关系到IC等器件的性能质量和成品率，这就要 求硅抛光片的表面可接受的分辨率达到纳米级，即表面 目前，IC