亚100nm+NMOSFET的沟道反型层量子化效应的研究.pdfVIP

7,005年(繁四扁)中胃纳米科技西安研讨会论文集 2005the 4e‘C脚SyH缈畦岫∞№嘲髓蛔嘲＆Tedmelogy _11 11 ii 亚lOOnm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究 贺永宁李宗林朱长纯 (西安交通大学电信学院电子科学与技术系， 西安710049) 子量子化模型，分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阚值电压等的影响。得出结论， 反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面，造成了有效栅氧厚度的增加，同时造成了阈值电压的波动达到了约 10％。 关健词：亚100nmCMOS；沟道反型层量子化；栅氧厚度；阈值电压 1倚介 自从半导体器件和集成电路发明以来，电子器件就一直朝着越来越小的方向演化。作为微电予产业的核心产品一 CMOS集成电路，其发展几十年来一直遵循摩尔定律。现在，器件数以百万计的超大规模集成电路已经很普遍，其中 随机存取存储器和微处理器的发展水平通常标志着整个微电子技术的发展水平。1975年以后，动态随机存储器和微 Penfium 4微处理器。2002年采用0．13um技术实现了0．53亿个晶体管的Pcntium4微处理器，时钟频率2．8GHz。估 图1 Intel微处理器芯片的发展 在采用包括纳米技术在内的新技术，CMOS器件的尺寸缩小在2l世纪前叶的发展仍然遵循按比例缩小定律。 CMOSIC特征尺寸已经进入100rim，传统的CMOS IC本世纪初还有一定的发展空间，但是它面临着诸多挑战，首先 器件尺寸缩小到纳米尺度对加工工艺精度要求越来越高，对光刻图形技术、氧化／扩散、薄膜淀积技术和互连技术等 器件制备工艺提出了挑战：同时，由于不断减薄的栅氧化层和不断增加的内部场强，尺寸量子化效应越来越显著，迫 使器件设计中不得不考虑沟道量子化、薄栅氧化层量子隧穿，以及杂质随机分布等量予力学效应对传统CMOS的器 件参数的影响。随羞CMOS IC特征尺寸的进一步减小至小于50nm的时候，量子力学等新效应将对集成电路元件及 ·174·一 舸p拳红放 一■●■q●a■黼It，■a—q∞岍 2tMIS年(第四扁)中置繁米科技西安研讨会论文集 2005 the4utChinese OR Symposium Nanosei蛆ee＆Tedmohgy iill I1 11鼍置置宣葺叠 是沟道电子的量子化效应和库伦阻塞效应。Ⅲ那时候，传统的CMOS结构将被SOI等新结构器件或者纳电子器件所代 替。这是一个必然的发展趋势。 衰1世界半导体技术发晨蓝圈(ITRS发布)[21 子分布和阈值电压变化分析、计算和讨论。 2沟道反型层量子化模型 强反型条件下NMOS结上的能带结构如图2所示。Lower 和higher表示硅导带谷中不同的简并能谷。从图2中看出， 强反型条件下在Si02／Si界面附近存在能带弯曲，反型层载流 子被限制在硅衬底表面的很窄的势阱中，载流子在垂直于表面 方向(z方向)的运动能量是量子化的，由于这种量子化是因 为电子活动空间减小所引起，常常称为尺寸燕子化，由于在垂 图2强反型条件下NMOS结上的能带结构 真于界面方向的运动受限制，因此反型层载流子不再像体内的 是自由的，可以用二维电子气描述反型层内的电子状态。采用有效质量近似，并求解薛定谔方程，则