无电极X切LiNbO3光波导传感器的设计的研究.pdfVIP

2005’全国微波毫米波会议论文集 无电极x切LiNb03光波导传感器的设计研 究 冯霄张阜文 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳621900) 和探讨n比传感器的构造，电磁场分布以及由于电磁场的分布和光波导晶体折射率的变化的关系，井用Ⅵ 算机进行了仿真。并在此基础k做出了实验器件，得到r部分实验结果。 关键词：反转极，x切，Maeh．Zehndet干涉式，集成光被导 1引言 多年以来，光波导就已经被用于电磁场的测量。正确的光波导设计可以接收超宽带、无 失真的射频信号。集成光波导接收时可以免于电磁噪声干扰，可以测量到所测场的微小变化。 在一些强电场中，由于光波导传感器的探头完全由绝缘材料构成，所以光传感器可以使用持 久，不宜损坏。随着光传感器的大量使用，光波导集成技术已经成为国际科学技术f：的研究 热点。 传统的光波导传感器中，金属电极放置在波导的附近，就如同天线一样接收电磁场。尽 管现在大量技术采雕此项技术，但是金属电极会导致几个系统问题和限制： ● 首先是金属电极会干扰被测电场，以及由于极间电容降低带宽，从而导致测量 的不准确性； · 并且由于电极间隔太小，可能会造成附加和后续连接装置的损坏和不变： · 而且如果需要附属电的连接来产生器件的偏置，有可能造成集成器件中其余部 分的损坏。 在本文中，将介绍一个新型的无电极和电缆的LiNbO3集成光波导传感器，以及 在直流电场试验中的结果。 2构造及LiNb03晶体折射率变化分析 此传感器采用的是Math．Zehnder干涉式光波导，其中信道波导是由基于+x切的 Lf舫D。基片上的质子交换构成的。两个平行波导都是通过钛扩散形成的，其巾一干 涉臂经过支交换就构成了反转极波导臂，而另一个干涉臂为常规波导臂。在这种波 导中，只能够传输TE模，而且选择合适的波导厚度，可是使波导只传输TE基模。 佑感器干涉臂与晶轴Y平行，且传播方向相反，其结构图如图1。 (a)传感器俯视图 (b)传感器切而图 图l无电极M．z干涉式传感器的结构图 2005。全国微波毫米波会议论文集 图(a)是显示了波导通过反转极区域的俯视图，图(b)干涉臂的横截面图。波导 显示了电场方向和相对应的晶轴方向。当传感器处于外加电场中时，电光效应引起 TE模折刺率变化，因为正常LiNb03和反转极LiNb03的电光特性是不同的，所以布 两个十一涉臂上的折射率故变也是不同的，这种不同改变了传感器的传输率。 一 由 LNbo 如果外加电场沿着晶轴z轴方向，折射率的变化(an) 勺 q 矿一： ，∑爿 的电光张量矩阵可以得到： r22Ev+‘3E：一r22E， r5lE， ‰=车 一吃2E。 rE2Ev+_3Ezr51Ev r5lEx r5lEv ～Ef 11值是寻常光的折射率n。和非寻常光的折射率n。。由上式可以得到分别沿晶体主轴 x，Y和z方向上的折射率变化，其中X方向上的电光效应感生的折射率变化 场加在z方向上时，可以获得最大的折劓率变化。 LiNbO，是单轴晶体，当电压加在单轴介质晶体上时，介电隔离张量 1／n；+Aq Aq6 Aq5 Aq6 1／nj+△叩2 A玎4 (2) Arl5 Aq4 1／n；+Aq， 这里 Aq。 k瓯 ，∑H 2，3)：‰为6x3阶线性电光张量矩阵；n值是寻常光的折射率n。和非寻常光的折 射率n。。外加电场后，折射率椭球的三主轴方向x、Y和z相应的变为X’、Y’和z’。 为计算方便，在新主轴